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电子工程师笔试题及答案

一、基础知识（共30分）

1.半导体物理与器件（10分）

（1）简述PN结正向偏置时的载流子运动过程，并说明为何正向电流随正向电压指数增长。

（2）某N型半导体中，施主杂质浓度为1×101?cm?3，本征载流子浓度ni=1×101?cm?3，求热平衡时电子浓度n?和空穴浓度p?，并判断多子和少子类型。

2.电子元件特性（10分）

（1）简述陶瓷电容（MLCC）与电解电容在频率特性、温度特性及应用场景上的主要差异。

（2）某金属膜电阻标称值为“473J”，其实际阻值范围是多少？若将该电阻与100Ω电阻串联后接入5V电源，求总电流及金属膜电阻的功率损耗。

3.信号与系统基础（10分）

（1）画出周期方波信号（占空比50%）的幅度频谱图，标注前3次谐波的频率与幅度相对值（设基波幅度为A）。

（2）已知系统传递函数H(s)=1/(s2+2ζs+1)，当ζ=0.5时，求系统的谐振频率ωr及3dB带宽。

二、电路分析（共30分）

1.直流电路分析（10分）

图1所示电路中，R1=10Ω，R2=20Ω，R3=30Ω，R4=40Ω，Us1=12V，Us2=6V。

（1）用基尔霍夫定律列写节点电流方程和网孔电压方程（无需求解）。

（2）用戴维南定理求R4两端的电压Uab。

2.交流电路分析（10分）

图2为RC串联电路，输入电压u(t)=10√2sin(1000t)V，R=1kΩ，C=1μF。

（1）计算电路的阻抗模|Z|、电流有效值I及有功功率P。

（2）若将电容改为2μF，判断电路性质（感性/容性）并说明原因。

3.动态电路分析（10分）

图3所示一阶RC电路中，开关S在t=0时由位置1切换至位置2，初始时电容电压uC(0?)=0V，Us=10V，R=5kΩ，C=2μF。

（1）写出t≥0时uC(t)的表达式，并画出其波形图。

（2）求电容电压上升到6.32V所需的时间。

三、数字电子技术（共30分）

1.逻辑电路设计（10分）

（1）用与非门设计一个3输入（A、B、C）的逻辑电路，输出F满足：当输入中1的个数为奇数时F=1，否则F=0（要求写出最简与或表达式，再转换为与非门实现）。

（2）分析图4所示组合逻辑电路的功能，写出输出F的逻辑表达式并化简。

2.时序逻辑电路（10分）

（1）用JK触发器设计一个同步3位二进制减法计数器，要求画出状态转换图、驱动方程及逻辑电路图。

（2）图5为555定时器构成的多谐振荡器，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，C=0.1μF，求振荡频率f及占空比D。

3.硬件描述语言（10分）

用VerilogHDL编写一个边沿检测模块，输入为单比特信号din，输出为pos_edge（上升沿有效）和neg_edge（下降沿有效），要求检测到边沿时输出一个时钟周期的高脉冲（需包含时序逻辑，时钟信号为clk，复位信号rst_n低有效）。

四、模拟电子技术（共30分）

1.放大电路分析（10分）

图6为分压式偏置共射极放大电路，已知VCC=12V，Rb1=30kΩ，Rb2=10kΩ，Re=2kΩ，Rc=3kΩ，β=50，rbe=1kΩ，RL=3kΩ。

（1）计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ（忽略UBE）。

（2）画出微变等效电路，计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri及输出电阻Ro。

2.运算放大器应用（10分）

（1）设计一个反相比例运算电路，要求输入电阻≥10kΩ，电压放大倍数Av=-5，画出电路图并标注电阻参数（运放电源为±12V）。

（2）图7为运放构成的积分器，R=100kΩ，C=0.1μF，输入电压ui=2V（直流），求输出电压uo从0V下降到-6V所需的时间。

3.反馈电路分析（10分）

图8所示放大电路中，判断反馈类型（正/负反馈，电压/电流，串联/并联），并说明该反馈对输入电阻、输出电阻及通频带的影响。

五、嵌入式系统（共30分）

1.单片机基础（10分）

（1）简述STM32F103系列单片机的Cortex-M3内核中NVIC（嵌套向量中断控制器）的主要功能，列举3个可配置的中断参数。

（2）某单片机IO口设置为推挽输出模式，高电平输出时电压为3.3V，最大灌电流为20mA，若驱动一个工作电压3V、工作电流10mA的LED，需在IO口与LED之间串联多大电阻？

2.外设配置（10分）

（1）用STM32HAL库配置TIM2定时器为PWM输出模式，通道1输出频率为1kHz、占空比30%的信号，写出关键配置步骤（包括时钟源选择、预分频系数计算、自动重装载值设置、占空比设置）