第1章电子元器件基本知识.pptVIP

第1页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体基本知识1.1.1半导体的特点1.本征半导体所谓本征半导体就是结构完整的、纯净的不掺杂任何杂质的半导体。2.自由电子和空穴共价键中的电子不是自由的，不能自由运动。即本征半导体是不导电的。下一页返回第2页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体基本知识3.杂质半导体1）N型半导体在本征半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后，就可形成N型半导体。2）P型半导体在本征半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如硼）后，就可形成P型半导体。上一页下一页第3页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体基本知识1.1.2PN结形成与特点1.PN结的形成在一块完整的半导体晶片的两边，通过掺杂工艺分别做成P型半导体和N型半导体，在它们的交界面处将形成一个具有特殊性能的带电薄层，这个带点薄层就叫做PN结。2.PN结的单向导电性1）PN结正向偏置当PN结的P区接电源正极，N区接电源负极时，称为给PN结上一页下一页第4页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.1半导体基本知识外加正向偏置电压，简称正偏。2）PN结反向偏置当PN结的P区接电源负极，N区接电源正极时，称为给PN结外加反向偏置电压，简称反偏。由于外加电源产生的电场与PN结内电场方向相同，加强了内电场，使PN结变宽，阻碍了P区和N区多数载流子向对方的扩散。在外电场作用下，只有少数载流子形成了极为微弱的电流，称为反向电流。此时PN结处于反向截止状态。应当指出，反向电流是少数载流子由于热激发产生，因而反向电流受温度影响很大。上一页返回第5页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管1.2.1二极管的结构和类型1.结构和符号PN结用管壳封装，并在两端引出两根电极引线，便构成了二极管。二极管是最基本的半导体器件，它广泛应用于整流、稳压、检波和开关等电子技术领域。常见二极管的外形及二极管的电路符号如图1-6所示，三角形表示P区，短线表示N区。下一页返回第6页，共30页，星期日，2025年，2月5日图1-6返回第7页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管2.类型依据不同的分类方法，可对二极管的类型做以下归类：（1）按制造材料分：有硅二极管、锗二极管等。（2）按用途分：有整流、稳压、检波、开关等二极管。（3）按结构分：有点接触型、面结型和平面型二极管。（4）按功率分：有大功率、中功率、小功率二极管。（5）按封装形式分：有金属封装和塑料封装二极管。上一页下一页第8页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管1.2.2二极管的特性及参数1.二极管的单向导电性半导体二极管的核心其实就是一个PN结，二极管的特性就是PN结的特性，即单向导电性。1）二极管正向运用二极管的正极接高电位，负极接低电位（即PN结的P区接高电位，N区接低电位），称为二极管处于正向运用，又称为外加正向电压或叫正向偏置。2）二极管反向运用二极管的正极接低电位，负极接高电位（即PN结的P区接低上一页下一页第9页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管电位，N区接高电位），称为二极管反向运用，又称为外加反向电压或叫反向偏置。此时流过二极管的电流非常小，仅为零点几μA，而且反向电压增大时，反向电流几乎不变，该电流称为反向饱和电流，记为IS，我们称二极管处于截止状态。2.二极管的反向击穿特性二极管反向应用时，当反向电压超过一定数值时，反向电流会急剧增加，这种现象称为二极管反向击穿。3.二极管的温度特性上一页下一页第10页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管二极管的核心是一个PN结，它的导电性能对温度比较敏感，温度对二极管的影响主要有两个方面：一是反向饱和电流IS随温度升高而增大，二是正向压随温度升高而降低。4.二极管的主要参数1）最大整流电流IF最大整流电流IF是指二极管长期工作时，所允许通过的最大正向平均电流。2）反向击穿电压U(BR)引起二极管反向击穿的电压。上一页下一页第11页，共30页，星期日，2025年，2月5日1.2半导体二极管3）最大反向工作电压URM实际使用时加在二极管两端的最大反向电压。4）反向饱和电流IR反向饱和电流IR是指在