柔性云母基底上高性能Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备与性能研究.pdfVIP

第31卷第1期功能材料与器件学报Vol.31,No.1

2025年2月JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICESFeb.,2025

文章编号：1007-4252(2025)01-0048-08DOI:10.20027/j.gncq.2025.0002

柔性云母基底上高性能Hfo.sZro.5O,铁电薄膜制备与性能研究

沈家宁

（福州大学物理与信息工程学院，福建福州350108）

摘要：铪基铁电薄膜与传统的互补金属氧化物半导体（CMOS）加工工艺兼容，且在超薄膜厚

（低至1nm）下仍具有良好的铁电性，用其制作的柔性铁电存储器将为柔性电子系统注入新的

活力。然而，剩余极化强度不高且器件可靠性不佳是铅锆氧（HZO)基柔性铁电存储器普遍面

临的问题。本研究在云母衬底上沉积了氧化铝缓冲层，制备了W/TiN/HZO/TiN/Al2Os/Mica

结构的铁电存储器。该柔性铁电存储器表现出免“唤醒”特性，其二倍剩余极化强度高达44

μC/cm²，可耐受至少10°次±3MV/cm的反复写擦。在弯曲半径低至3mm以及经历高达5000

次弯曲的情况下，器件的剩余极化强度、矫顽场均未衰减，体现出良好的弯曲可靠性。进一步

研究表明，氧化铝缓冲层能有效解决膜层之间应力失配所导致的膜层开裂问题，此外,HZO中

正交相存在且具有较大占比，这些可能是决定器件剩余极化强度高和可靠性好的重要因素。

关键词：云母基底；柔性；Hfo.sZro.5O2；铁电薄膜

中图分类号：TP333.5文献标志码：A

PreparationandResearchofHigh-performanceHfo.sZro.O,Ferroelectric

thinFilmsonFlexibleMicaSubstrates

SHENJia-ning

(CollegeofPhysicsandInformationEngineering,FuzhouUniversity,Fuzhou350108,China)

Abstract:Hafnium-basedferroelectricfilmsarecompatiblewithconventionalCMOSprocessingand

havegoodferroelectricpropertiesatultra-thinfilmwiththicknessesdownto1nm.Flexiblehafnium-

basedferroelectricmemorieswillbreathenewlifeintoflexibleelectronicsystems.However,lowremnant

polarizationandpoorendurancesarecommonproblemsfacedbyhafniumzirconiumoxide(HzO)

flexibleferroelectricmemories.Inthisstudy,aferroelectricmemorywithW/TiN/HZO/TiN/Al,Og/Mica

structurewaspreparedafterdepositinganaluminabufferlayeronthemicasubstrate.Theflexible

ferroelectricmemoryexhibits‘wake-upfreefeature,withadoubleremnantpolarizationashighas44

μC/cm’,andcanwith