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半导体物理第三章

第1页，共101页，星期日，2025年，2月5日

第三章半导体中载流子的统计分布

1状态密度

2费米能级和载流子的统计分布

3本征半导体的载流子浓度

4杂质半导体的载流子浓度

5一般情况下的载流子统计分布

6简并半导体

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v完整的半导体中电子的能级构成能带，有杂质和缺陷的半导体在禁带中存在局部化

的能级．

v实践证明：半导体的导电性强烈地随着温度及其内部杂质含量变化，主要是由于半

导体中载流子数目随着温度和杂质含量变化．

v本章重点讨论：

1、热平衡情况下载流子在各种能级上的分布情况

2、计算导带电子和价带空穴的数目，分析它们与半导体中杂质含量和温度

的关系．

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热激发（本征）

导带电子

热平衡状态

价带空穴T1

载流子复合

T

热激发（本征）

导带电子

热平衡状态

价带空穴T2

载流子复合

热平衡载流子：一定温度下，处于热平衡状态下的导电电子和空穴

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温度T半导体的导电性

nnqn(ppqp)

n、p与T有关

v载流