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氧化锡基微纳米材料的合成策略与光学性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，微纳米材料因其独特的物理化学性质，在众多领域展现出了巨大的应用潜力，成为了材料科学领域的研究热点。氧化锡（SnO_2）作为一种重要的宽禁带n型半导体材料，带宽范围为3.6-4.0eV，凭借其优异的电学、光学、气敏等性能，在光电器件、气敏传感器、催化剂以及透明导电薄膜等诸多领域发挥着不可或缺的作用，引起了科研人员的广泛关注。

在光电器件领域，随着信息技术的飞速发展，对光电器件的性能要求日益提高。氧化锡基微纳米材料由于具有高载流子迁移率、良好的光电转换效率以及出色的化学稳定性等