氮化硅-聚合物混合集成电光可调谐滤波器研究.pdfVIP

摘要

光滤波器能够用于选择通过的光波长，实现对光波的控制。随着波分复用系统

信道数的增加、信道间隔向更窄带宽发展，对可调谐光滤波器提出了更大调谐范围、

更低损耗且小型化的要求。在光子集成回路中，氮化硅(siliconnitride,SiN)拥有极

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低传输损耗、透明波段覆盖广等优势而被广泛应用。然而，氮化硅薄膜因其中心对

称结构而不具有电光效应，而常用的氮化硅滤波器所采用的热光调谐存在响应速

度慢、功耗大且热串扰严重，不利于构建高速可重构的光网络。近年来，随着光子

集成技术的发展，采用混合集成方式成为未来实现高速率、大容量以及低损耗光网

络的重要手段。因此，本论文将具有优异电光调谐性能的有机电光聚合物材料与氮

化硅混合集成，提出了氮化硅电光可调谐滤波器，重点解决片上电光聚合物高温电

场极化的多物理场技术难题，从而实现高效率且快速的滤波效果。

本论文的创新研究主要包含如下几点：

（1）基于氮化硅和电光聚合物混合集成波导滤波器的极化工艺优化。通过光电

多物理场仿真和优化设计，采用光刻、刻蚀和电极剥离工艺制备了自由光谱区（FSR）

分别为4nm和0.4nm的马赫-曾德尔干涉仪（MZI）结构的电光可调谐滤波器。在

电场极化中，针对波导在热场和电场协同作用下电光聚合物的极化工艺难点，采用

先低电场再高电场的二次极化创新技术，显著提高了滤波器的电光调谐性能，最终

获得的滤波器半波电压长度积达到6.8V·cm，器件内电光系数最高达到73pm/V。

最终测试结果表明，具有电光聚合物Pockels效应的氮化硅滤波器可以在高频、低

频和直流调谐电场下保持纳秒级的滤波或开关速度，且直流状态下波长调谐保持

高稳定性和可靠性，这可以有效弥补当前硅和薄膜铌酸锂电光调谐器件由于载流

子热效应而在直流调谐下的稳定性缺陷。

（2）同一芯片上的多波导同时极化。多器件同时极化的技术难点在于，波导和

电极的制作误差会导致各移相器电场不一致，在高温高压电场的多物理场作用下

非常容易造成介电击穿。基于MZI电光调谐滤波器，设计并制备了串联三个不同

自由光谱区MZI的级联滤波器，首次在单一芯片上对3个MZI的6个电光移相器

同时极化，得到波长选择效果更好、调谐范围更大同时能够进行小范围精确调谐的

电光可调谐滤波器。通过不断地优化波导和电极制作工艺，以及极化参数的进一步

优化，最终获得三级半波电压均为40V的级联滤波器，并演示了同时电光调谐的

级联滤波器光谱。该器件可用于集成反射式半导体光放大器（RSOA），从而获得高

速可调谐的窄线宽激光。

关键词：光滤波器，电光调谐，氮化硅波导，电光聚合物，级联马赫-曾德尔干涉

仪

ABSTRACT

Opticalfiltersareusedtoselectthefrequencyoftransmissiononopticalfibers,

shapethespectralortemporalcontentoftransmissionandreceptionsignals,optimizethe

opticalsignal-to-noiseratio(OSNR),andperformsignalprocessingfunctionsondigital

andanalogopticalsignals.Withtheincreaseinthenumberofchannelsinwavelength

divisionmultiplexingsystemsandthedevelopmentofchannelspacingtowardsnarrower

bandwidth,therearerequirementsfortunableopticalfilterstohavealargertuningrange,

lowerlosses,andminiaturization.Inphotonicintegratedcircuits,siliconnitride(SiN