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甚高频激发容性耦合等离子体特性的多维度解析与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体行业中，低温等离子体技术已成为不可或缺的关键技术之一，广泛应用于薄膜生长、基片刻蚀和表面改性等重要工艺环节。随着半导体器件朝着更小尺寸、更高性能方向发展，对等离子体的特性要求也日益严苛，尤其是在超细线宽的沟槽刻蚀工艺中，需要更精确地控制等离子体密度和离子轰击能量，以确保刻蚀的精度和质量。

相比于感应耦合等离子体源，容性耦合等离子体源（CCP）因其结构简单、易于形成大口径等离子体等显著优势，在半导体工业中得到了更为广泛的应用。它通过电容耦合的方式将射频能量传输到等离子体中，使得等离子体中的电子获得能量并发生电离，从而产生等离子体。近年来，新兴的双频激发容性耦合等离子体源进一步拓展了容性耦合等离子体源的功能。在这种双频系统中，甚高频率（VHF）主要用于激发产生高密度等离子体，以满足对等离子体通量的需求；而较低的频率则用于诱导等离子体中的离子轰击基片表面，实现对离子能量的有效控制。这种离子通量和离子能量能够独立可控的特性，极大地拓宽了容性耦合等离子体的工作窗口，为半导体工业实现超细线宽的沟槽刻蚀带来了新的希望。

例如，在先进的芯片制造工艺中，精确控制等离子体的特性对于实现高性能芯片的生产至关重要。通过双频激发容性耦合等离子体源，可以在保证刻蚀速率的同时，提高刻蚀的均匀性和选择性，从而降低芯片制造过程中的缺陷率，提高芯片的性能和可靠性。因此，深入研究甚高频激发的容性耦合等离子体的特性，对于优化半导体工艺、提高芯片制造质量和效率具有重要的现实意义。它不仅有助于推动半导体行业的技术进步，满足不断增长的市场需求，还能为相关领域的科学研究提供重要的理论基础和实践经验。

1.2国内外研究现状

国内外学者对甚高频激发容性耦合等离子体特性展开了广泛的研究。在理论与数值模拟方面，国外的M.M.Turner等人研究显示了低频电流对鞘层区空间结构的影响，发现其能增强无碰撞和欧姆加热机制；H.C.Kim等人引入有效参量（如有效频率、有效电流和电压），采用单频等离子体的均匀模型来描述等离子体放电特性；国内大连理工大学王友年教授课题组与美国相关团队合作，首次在实验上观测到甚高频容性放电中的非线性驻波效应，并利用数值模型揭示了其物理本质，研究表明在低气压条件下，鞘层非线性振荡激发的高次谐波在串联共振频率附近增强，特定条件下会引起径向驻波，导致等离子体密度“中心峰”分布，且气压升高会抑制高次谐波激发，改善等离子体均匀性。

在实验研究领域，随着朗谬尔探针技术等诊断技术的改进，等离子体诊断测量更加精准。AGodvak等人通过实验显示了气压变化导致的电子能量分布函数模式的转变；Buddemeier等人则展示了射频电流变化导致的EEPF的模式转变；S.J.You等人发现电子加热模式转变气压随激发频率的增加而下降。已投入应用的双频CCP中，常见频率组合有27MHz/2MHz和60MHz/2MHz，虽然针对这两种频率组合的数值计算与模拟结果较多，但实验方面的研究仍相对较少。目前的研究仍存在一些不足，如不同频率组合下等离子体特性的实验研究不够全面，对于双频激发下等离子体内部复杂的物理过程和相互作用机制尚未完全明晰，这为进一步深入研究留下了空间。

1.3研究内容与方法

本文主要研究甚高频激发的容性耦合等离子体的特性，具体内容包括：利用电压探针、电流探针和Langmuir探针等诊断设备，测量不同频率下射频电压与输入功率的关系、射频电流与气压的关系，以及频率、气压对极板自偏压的影响等电学参量。研究60MHz射频激发产生的容性耦合等离子体的放电特性及电子行为，分析等离子体的等效电阻或电容随射频输入功率的变化规律，探究电子行为与射频输入功率、放电气压的关联。使用60MHz和13.56MHz的双频激发产生容性耦合等离子体，从两者的射频输入功率对彼此自偏压的变化，深入分析两者之间的耦合关系。

在研究方法上，采用实验测量与数值模拟相结合的方式。通过搭建容性耦合等离子体实验装置，使用Comdel500W自动匹配的60MHz射频源，利用高压探针测量功率电极上的射频电压，电流探针测量功率电极上的射频电流及两探针信号的位相，Langmuir探针测量所激发等离子体的内部电学参量如电子能量几率分布函数（EEPF）等，发射光谱监测等离子体的发光基团与强度，获取等离子体的实验数据。同时，运用数值模拟方法，建立合适的物理模型，如二维时变的轴对称模型等，对甚高频电容耦合等离子体放电进行模拟，研究沉积参数、频率、气压、功率等因素对等离子体特性的影响，并与实验结果进行对比分析，从而更全面、深入地理解甚高频激发容性耦合等