解码中微公司营收高增长.docx

解码中微公司营收高增长

刻蚀环节根据控制技术的不同，干法刻蚀主要包括电感耦合等离子体（下称“ICP”）刻蚀和电容耦合等离子体（下称“CCP”）刻蚀等类型。公司生产的设备已在28nm以上的绝大部分CCP刻蚀、28nm及以下的大部分CCP刻蚀中得到应用；ICP刻蚀方面，公司针对60多条客户的生产线实现量产，覆盖逻辑、功率、电源管理、微电机系统等芯片和器件，还用于生产DRAM和3DNAND存储芯片。

国际上先进芯片制程从7-5nm阶段向更先进工艺方向迈进，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺进行曝光。

该技术路线的外部效应扩散至照明及显示领域，利用刻蚀工艺能够实现更精细的照明、更优质的显示效果。

薄膜设备在发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场的应用发展迅速，这些器件所需的MOCVD设备是最重要的核心设备。与集成电路在很多种设备、很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠MOCVD设备实现，而且MOCVD设备的大部分市场在中国本土。

中微公司开发的碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、Micro-LED等器件所需的多类MOCVD设备取得了良好进展，已进入验证阶段，后续有望规模化生产。值得一提的是，公司该类MOCVD设备的市占率超70%，在行业领先客户的生产线上大规模使用；Mini-LED显示所用的MOCVD设备亦成为国内外绝大多数LED生产线的主流设备。

和大多数平台型设备制造商类似，中微公司的产品开发范畴还在扩张。公司通过投资布局了光学检测设备板块，并计划开发电子束检测设备，不断扩大对多种检测设备的覆盖。随着微观器件越做越小，检测设备的市场地位有所提高，增长速度很快，成为前道工序第四大设备门类，占半导体设备市场总额约11%。