第十四章半导体器件.pptVIP

14.5双极型晶体管14.5.1基本结构常见晶体管的外形图第30页，共61页，星期日，2025年，2月5日第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日14.5晶体管晶体管的结构示意图和表示符号(a)NPN型晶体管；(b)PNP型晶体管第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日14.5.2电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVBEBRB第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日晶体管电流放大的实验电路设EC=6V，改变可变电阻RB,则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，测量结果如下表：2.各电极电流关系及电流放大作用第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日晶体管电流测量数据IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.05结论:(1)IE=IB+IC符合基尔霍夫定律(2)IC??IB，IC?IE(3)?IC???IB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日(a)NPN型晶体管；电流方向和发射结与集电结的极性(4)要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。(b)PNP型晶体管第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律IEIBEICEICBO发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE,多数扩散到集电结。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。基区空穴向发射区的扩散可忽略。第38页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的运动规律IC=ICE+ICBO?ICEICIBIB=IBE-ICBO?IBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流,温度??ICEO?(常用公式)若IB=0,则IC?ICE0BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO第39页，共61页，星期日，2025年，2月5日14.5.3特性曲线即晶体管各电极电压与电流的关系曲线，是晶体管内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。研究特性曲线目的：(1)直观地分析管子的工作状态(2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线第40页，共61页，星期日，2025年，2月5日发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路第41页，共61页，星期日，2025年，2月5日1.输入特性特点:非线性正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE?0.6~0.7VPNP型锗管UBE??0.2~?0.3V3DG100晶体管的输入特性曲线死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。第42页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.输出特性共发射极电路3DG100晶体管的输出特性曲线在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。第43页，共61页，星期日，2025年，2月5日下一页返回上一页退出章目录第十四章半导体器件第1页，共61页，星期日，