核电子学第二课.pptVIP

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二、闪烁体探测器2.2光电倍增管光电倍增管的主要性能光阴极的光谱响应光阴极受到光照后,发射光电子的概率是入射光波长的函数,称作“光谱响应”。光照灵敏度阴极灵敏度;阳极灵敏度。光电倍增管的暗电流与噪声当工作状态下的光电倍增管完全与光辐射隔绝时,其阳极仍能输出电流(暗电流)及脉冲信号(噪声)。光电倍增管的时间特性与稳定性。第29页,共52页,星期日,2025年,2月5日二、闪烁体探测器2.3单晶闪烁谱仪?闪烁谱仪的组成与工作原理闪烁体、PMT以及配套的电子学仪器组成。X或?射线不带电,它与闪烁体的相互作用是通过三种次级效应实现的,它产生的次级电子的能谱是相当复杂的,因而由次级电子产生的输出脉冲幅度谱也是相当复杂的。以NaI(Tl)闪烁晶体的单晶?闪烁谱仪为例。第30页,共52页,星期日,2025年,2月5日二、闪烁体探测器2.3单晶闪烁谱仪单能射线的输出脉冲幅度谱?射线与物质的相互作用:第31页,共52页,星期日,2025年,2月5日二、闪烁体探测器2.3单晶闪烁谱仪单能射线的输出脉冲幅度谱常见单能?射线谱第32页,共52页,星期日,2025年,2月5日二、闪烁体探测器2.3单晶闪烁谱仪单能射线的输出脉冲幅度谱常见单能?射线谱第33页,共52页,星期日,2025年,2月5日三、半导体探测器半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子-空穴对,电子-空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。我们把气体探测器中的电子-离子对、闪烁探测器中被PMT第一打拿极收集的电子及半导体探测器中的电子-空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器),300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。第34页,共52页,星期日,2025年,2月5日三、半导体探测器半导体探测器的特点:(1)能量分辨率最佳;(2)?射线探测效率较高,可与闪烁探测器相比。常用半导体探测器有:(1)P-N结型半导体探测器;(2)锂漂移型半导体探测器;(3)高纯锗半导体探测器。第35页,共52页,星期日,2025年,2月5日三、半导体探测器3.1半导体的基本性质常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge),均为IV族元素。本征半导体和杂质半导体1)本征半导体:理想、无杂质的半导体。由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度,且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。固体物理理论已证明半导体内的载流子平衡浓度为:第36页,共52页,星期日,2025年,2月5日三、半导体探测器3.1半导体的基本性质本征半导体和杂质半导体2)杂质半导体替位型:III族元素,如B,Al,Ga等; V族元素,如P,As,Sb等间隙型:Li,可在晶格间运动。施主杂质(施主杂质为V族元素,其电离电位ED很低。在室温下,这些杂质原子几乎全部电离。掺有施主杂质的半导体称为N型半导体。)受主杂质(受主杂质为III族元素,其电离电位EA也很低。掺有受主杂质的半导体称为P型半导体。)第37页,共52页,星期日,2025年,2月5日核电子学第二课第1页,共52页,星期日,2025年,2月5日上次课关键点时域分析与频域分析tf(t)0时域0F(ω)ω傅立叶变换傅立叶逆变换频域第2页,共52页,星期日,2025年,2月5日本堂课主要内容:一、气体探测器(Gas-filledDetector)二、闪烁体探测器(ScintillationDetector)三、半导体探测器(SemiconductorDetector)第3页,共52页,星期日,2025年,2月5日为什么需要辐射探测器?对于辐射是不能感知的,因此人们必须借助于核辐射探测器探测各种辐射,给出辐射的类型、强度(数量)、能量及时间等特性。即对辐射进行测量。核辐射探测器的定义:利用辐射在气体、液体或固体中引起的电离、激发效应或其它物理、化学变化进行辐射探测的器件称为辐射探测器。探测器按探测介质类型及作用机制主要分为:气体探测器;闪烁体探测器;半导体探测器。第4页,共52页,星期日,2025年,2月5日辐射探测的基本过程:

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