第三章门电路.pptVIP

3.3CMOS门电路第29页，共66页，星期日，2025年，2月5日MOSFET历史Atalla1960年，美国贝尔实验室Kahng和Atalla成功地研制出第一只MOSFET.优势噪声系数小制造成本低廉功耗小体积小集成度高输入阻抗高第30页，共66页，星期日，2025年，2月5日MOSFET的应用微处理器半导体存储器其它应用IC（数字电路、数模混合电路）当今集成电路设计的核心45nmPenryn四核酷睿2处理器晶体管达8.2亿个第31页，共66页，星期日，2025年，2月5日MOSFET概念金属－氧化物－半导体场效应晶体管Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor四端器件：G：栅(Gate)，控制沟道中的电荷量S：源(Source)，重掺杂、与电极形成欧姆接触D：漏(Drain)，重掺杂、与电极形成欧姆接触B：衬底(Bulk)几何参数：W,L,tOX场效应晶体管：电压控制型的器件。在栅极上施加电压时，在栅电场的作用下，半导体－氧化物界面下边的半导体中感生出可动电荷，可动载流子在源和漏之间提供一导电沟道。沟道中的可动载流子受栅电场电容耦合的控制。栅电极：绝缘层上的金属接触叫做栅极，重掺杂的多晶硅也可以作为栅电极。pMOSFET:p型沟道，n型衬底，器件靠空穴导电。nMOSFET:n型沟道，p型衬底，器件靠电子导电。基本用途：以栅极电压为输入、以漏源电流为输出的电压输入、电流输出的电压控制型放大器和开关第32页，共66页，星期日，2025年，2月5日MOSFET的结构施加栅压，氧化物－半导体界面处的能带发生弯曲核心：MOS电容，氧化层扮演电容器绝缘体的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极与衬底则成为MOS电容的两个端点。结构：MOS电容＋栅极两侧的两个背靠背的pn结。以nMOSFET为例单位面积的栅氧化层电容：第33页，共66页，星期日，2025年，2月5日MOSFET的工作原理栅极上没有外加电压时，n+源区和n+漏区之间被两个背靠背的pn结隔离。如果此时在源漏之间加上一个电压VDS,源和漏之间只有一个很小的反向泄漏电流。在栅和衬底之间加上电压，就会产生垂直于Si-SiO2界面的电场，在界面的半导体一侧，就会产生空间电荷。如果这个电压足够大，两个n+区之间形成表面反型层（沟道），源和漏导通，电流从漏流向源。第34页，共66页，星期日，2025年，2月5日NMOS管和PMOS管的通断条件NMOS当VGS＞VTN时导通当VGS＜VTN时截止PMOS当∣VGS∣＞VTP时导通当∣VGS∣＜VTP时截止第35页，共66页，星期日，2025年，2月5日类

型第36页，共66页，星期日，2025年，2月5日二、输入特性和输出特性输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。输出特性： iD=f(VDS)对应不同的VGS下得一族曲线。第37页，共66页，星期日，2025年，2月5日漏极特性曲线（分三个区域）截止区恒流区可变电阻区第38页，共66页，星期日，2025年，2月5日漏极特性曲线（分三个区域）截止区：VGSVGS(th)，iD=0,ROFF109Ω第39页，共66页，星期日，2025年，2月5日漏极特性曲线（分三个区域）恒流区：iD基本上由VGS决定，与VDS关系不大转移特性曲线第40页，共66页，星期日，2025年，2月5日漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS较低（近似为0），VGS一定时，这个电阻受VGS控制、可变。可变电阻区第41页，共66页，星期日，2025年，2月5日三、MOS管的基本开关电路第42页，共66页，星期日，2025年，2月5日四、等效电路OFF，截止状态ON，导通状态栅极输入电容第43页，共66页，星期日，2025年，2月5日五、MOS管的四种类型增强型耗尽型大量正离子导电沟道由零栅压时的电流和阈值电压区分第44页，共66页，星期日，2025年，2月5日3.3.2CMOS反相器的电路结构和工作原理一、电路结构PMOS管NMOS管CMOS电路柵极相连做输入端漏极相连做输出端第45页，共66页，星期日，2025年，2月5日工作原理CMOS反相器UIL=0V截止导通UOH≈VDD当uI=UIL=0V时，VTN截止，VTP导通，