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广西2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术高频题(考点)

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在广西微电子产业中，用于制造大功率MOSFET的栅极氧化层通常采用哪种材料？

A.SiO?

B.Al?O?

C.Si?N?

D.Ta?O?

2.大功率IGBT的开关损耗主要受哪种因素影响最大？

A.驱动电压

B.结温

C.频率

D.电流密度

3.广西某企业采用外延生长技术制备N型SiC衬底，其主要目的是？

A.提高载流子迁移率

B.降低本征载流子浓度

C.增强耐高温性能

D.减少表面缺陷

4.在广西半导体制造中，干法刻蚀常用哪种气体对SiC材料进行高选择性刻蚀？

B.CF?+O?

C.HCl+Cl?

D.CHF?

5.大功率功率器件的电极材料选择需考虑哪些因素？（多选）

A.导电性能

B.热稳定性

C.化学相容性

D.成本

6.广西某功率器件厂采用氮化镓（GaN）外延片制备高功率LED，其主要优势是？

A.低导通电阻

B.高转换效率

C.良好热导率

D.以上都是

7.在广西功率器件制造中，离子注入工艺常用于？

A.形成源极

B.改善表面形貌

C.增强器件耐压

D.以上都是

8.大功率器件的热管理中，广西企业常采用哪种散热技术？

A.风冷

B.水冷

C.相变材料

D.以上都是

9.在广西半导体生产线中，PECVD（等离子体增强化学气相沉积）主要用于制备？

A.栅极介质层

B.衬底材料

C.导电层

D.封装材料

10.大功率器件的栅极驱动电路设计需考虑哪些因素？（多选）

A.上升/下降时间

B.驱动能力

C.抗干扰能力

D.以上都是

二、多选题（每题3分，共10题）

1.广西功率器件制造中，常见的P型掺杂剂有哪些？

A.B（硼）

B.Al（铝）

C.Ga（镓）

D.In（铟）

2.大功率MOSFET的栅极结构设计需考虑哪些因素？

A.栅极氧化层厚度

B.栅极金属材料

C.栅极电场强度

D.栅极电容

3.广西某企业采用金刚石涂层技术提升功率器件散热性能，其主要原理是？

A.高导热系数

B.良好耐磨性

C.耐高温性能

D.低热阻特性

4.功率器件的封装技术中，广西企业常采用哪种封装形式？

A.D2PAK

B.TO-247

C.IGBT模块

D.SOT-223

5.大功率器件的失效模式主要包括哪些？

A.过热

B.雷击

C.电击穿

D.机械应力

6.广西半导体制造中，常用的光刻工艺有？

A.i-line

B.KrF

C.ArF

D.EUV

7.功率器件的耐压设计需考虑哪些因素？

A.击穿电压

B.零偏压漏电流

C.温度系数

D.电场分布

8.大功率器件的栅极驱动电路中，常用的保护措施有？

A.过流保护

B.过压保护

C.反向电压保护

D.短路保护

9.广西某企业采用SiCMOSFET制备高功率逆变器，其主要优势是？

A.高频特性

B.低导通损耗

C.良好热稳定性

D.高效率

10.功率器件的测试方法主要包括哪些？

A.直流参数测试

B.交流参数测试

C.动态特性测试

D.环境适应性测试

三、简答题（每题5分，共6题）

1.简述广西功率器件制造中，SiC衬底制备的主要工艺流程。

2.大功率IGBT的栅极驱动电路设计需满足哪些要求？

3.广西某企业采用氮化镓（GaN）制备高功率射频器件，其主要优势是什么？

4.简述功率器件的热管理方法及其在广西半导体制造中的应用。

5.大功率器件的封装技术对器件性能有何影响？

6.广西功率器件制造中，常用的缺陷检测方法有哪些？

四、论述题（每题10分，共2题）

1.结合广西半导体产业发展现状，论述大功率MOSFET制造技术的关键技术及其挑战。

2.分析广西功率器件制造中，功率器件失效的主要原因及应对措施。

答案与解析

单选题答案

1.A

2.B

3.C

4.A

5.ABCD

6.D

7.D

8.D

9.A

10.D

多选题答案

1.ABC

2.ABCD

3.ACD

4.ABCD

5.ABCD

6.ABCD

7.ABCD

8.ABCD

9.ABCD

10.ABCD

简答题解析

1.SiC衬底制备工艺流程：

-物理气相传输（PVT）法：通过高温热解SiC粉末制备单晶。

-提拉法：在石墨坩埚中加热SiC原料，通过籽晶拉出单晶。

-广西某企业采用PVT法，主要步骤包括：原料预处理、热解、晶体生长、退火等。

2.IGBT栅极驱动电路设计要求：

-低驱动损耗：优化上升/下降时间。

-高抗干扰能力：