脉冲激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体薄膜的研究与性能分析.docx

脉冲激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体薄膜的研究与性能分析

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的今天，电子器件的性能提升和小型化成为了科研领域的关键目标。自旋电子学作为一门新兴学科，以其独特的电子自旋操控特性，为解决传统电子学面临的瓶颈问题带来了曙光。传统的半导体电子学主要基于电子的电荷属性进行信息处理和传输，而自旋电子学在此基础上，额外利用了电子的角动量——自旋，这一突破使得电子器件在速度、能耗和存储密度等方面展现出巨大的提升潜力。

稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）作为自旋电子学的核心材料，因其能够同时操控电子的电荷和