电工学场效应.ppt

RLuoC2思考：自给偏压共源极放大电路动静态分析。SEEP82*第26页，共42页，星期日，2025年，2月5日4分压式偏置电路静态分析无输入信号时（ui=0），估算：UDS和ID。uo+UDD=+20VRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL200K51K1M10K10KGDS10KIDUDSR1=200k?R2=51k?RG=1M?RD=10k?RS=10k?RL=10k?gm=1.5mA/VUDD=20VIDSS=0.9mAUGS(off)＝-4VP84例*第27页，共42页，星期日，2025年，2月5日IG=0直流通道+UDD+20VR1RDRGR2200K51K1M10KRS10KGDSIDUDSIG计算得：*第28页，共42页，星期日，2025年，2月5日动态分析微变等效电路SGR2R1RGDRLRDUgsgmUgsUiUoIdSGDid+UDD=+20VuoRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL200K51K1M10K10KGDS10K*第29页，共42页，星期日，2025年，2月5日动态分析：UgsUiUgsgmIdriroUoSGR2R1RGRL?DRLRD=–gmUiRL电压放大倍数负号表示输出输入反相*第30页，共42页，星期日，2025年，2月5日*第1页，共42页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)场效应管分类：*第2页，共42页，星期日，2025年，2月5日15.9.1绝缘栅型场效应管MOSFETMetal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称MOS场效应管。特点：输入电阻可达1010?以上。类型N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型UGS=0时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管；UGS=0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。*第3页，共42页，星期日，2025年，2月5日一、N沟道增强型MOS场效应管结构P型衬底N+N+BGSDSiO2源极S漏极D衬底引线B栅极G图N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图SGDB*第4页，共42页，星期日，2025年，2月5日1.工作原理绝缘栅场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流ID。2.工作原理分析(1)UGS=0漏源之间相当于两个背靠背的PN结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。SBD*第5页，共42页，星期日，2025年，2月5日(2)UDS=0，0UGSUGS(th)P型衬底N+N+BGSD栅极金属层将聚集正电荷，它们排斥P型衬底靠近SiO2一侧的空穴，形成由负离子组成的耗尽层。增大UGS耗尽层变宽。VGG---------(3)UDS=0，UGS≥UGS(th)由于吸引了足够多P型衬底的电子，会在耗尽层和SiO2之间形成可移动的表面电荷层——---N型沟道反型层、N型导电沟道。UGS升高，N沟道变宽。因为UDS=0，所以ID=0。UGS(th)或UT为开始形成反型层所需的UGS，称开启电压。*第6页，共42页，星期日，2025年，2月5日(4)UDS对导电沟道的影响(UGSUT)导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流ID。可变电阻区b.UDS=UGS–UT，UGD=UT靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。预夹断c.UDSUGS–UT，UGDUT由于夹断区的沟道电阻很大，UDS逐渐增大时，增大部分全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力，iD因而基本不变。恒流区a.UDSUGS–UT，即UGD=UGS–UDSUTP型衬底N+N+BGSDV