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例2分析简单稳压电路的工作原理，R为限流电阻。IR=IZ+ILUO=UI–IRRUIUORRLILIRIZ第30页，共81页，星期日，2025年，2月5日2.3双极型晶体管2.3.1晶体三极管2.3.2晶体三极管的特性曲线2.3.3晶体三极管的主要参数第31页，共81页，星期日，2025年，2月5日(SemiconductorTransistor)2.3.1晶体三极管一、结构、符号和分类NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型ECBECB第32页，共81页，星期日，2025年，2月5日分类：按材料分：硅管、锗管按功率分：小功率管500mW按结构分：NPN、PNP按使用频率分：低频管、高频管大功率管1W中功率管0.5?1W第33页，共81页，星期日，2025年，2月5日二、电流放大原理1.三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏2.满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共集电极共基极第34页，共81页，星期日，2025年，2月5日3.三极管内部载流子的传输过程1)发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流IE。ICN多数向集电结方向扩散形成ICN。IE少数与空穴复合，形成IBN。IBN基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)ICBOIBIBN?IB+ICBO即：IB=IBN–ICBO2)电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略)第35页，共81页，星期日，2025年，2月5日ICNIEIBNICBOIB3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流ICICIC=ICN+ICBO第36页，共81页，星期日，2025年，2月5日4.三极管的电流分配关系5.三极管的电流放大作用第37页，共81页，星期日，2025年，2月5日2.3.2晶体三极管的特性曲线一、输入特性输入回路输出回路与二极管特性相似第38页，共81页，星期日，2025年，2月5日O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压UBE(on)硅管：(0.6?0.8)V锗管：(0.2?0.3)V取0.7V取0.2V第39页，共81页，星期日，2025年，2月5日二、输出特性iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321截止区：IB?0IC=ICEO?0条件：两个PN结反偏截止区ICEO第40页，共81页，星期日，2025年，2月5日iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843212.放大区：放大区截止区条件：发射结正偏集电结反偏特点：水平、等间隔ICEO第41页，共81页，星期日，2025年，2月5日iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O246843213.饱和区：uCE?uBEuCB=uCE?uBE?0条件：两个PN结正偏特点：IC??IB临界饱和时：uCE=uBE深度饱和时：0.3V(硅管)UCE(SAT)=0.1V