探析IC封装铜引线键合的成球工艺对材料特性的多维度影响.docxVIP

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探析IC封装铜引线键合的成球工艺对材料特性的多维度影响

一、引言

1.1微电子封装技术

1.1.1技术背景及定义

随着电子技术的飞速发展,电子产品不断向小型化、高性能化、多功能化方向迈进,微电子封装技术应运而生并迅速成为电子产业中的关键环节。微电子封装是指将芯片等半导体器件进行装配,采用特定的连接技术实现电气连接,并安装外壳,形成有效组件的过程。这一过程不仅能够保护芯片免受物理、化学等外界因素的影响,还能确保电路性能和热性能的稳定,实现芯片与外部电路的有效连接,是实现电子产品功能的重要保障。例如,在智能手机中,微电子封装技术将各种功能芯片集成在一起,使手机能够实现通话、拍照、上网等多种功能,且体积小巧便于携带。微电子封装技术如同电子产品的“基石”,其发展水平直接影响着整个电子产业的发展进程和产品性能。

1.1.2封装技术的发展历程和种类

微电子封装技术的发展历程是一部不断创新与突破的历史。早期,以穿孔插装技术为代表,将元件插入印刷电路板的孔内,然后用焊接的方式进行固定,这种技术在当时满足了基本的电子组装需求,但存在体积大、组装密度低等缺点。随着集成电路的出现,封装技术迎来了新的发展阶段,陶瓷封装、金属封装等多种形式相继涌现,有效地保护了内部的集成电路,提高了电子产品的可靠性和稳定性。到了20世纪80年代,表面贴装技术兴起,它将元件直接贴附在印刷电路板上,并通过焊接或胶水进行固定,大大提高了组装密度,减小了电子产品的体积。此后,又发展出了球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、无引线四边扁平封装(PQFN)、多芯片组件(MCM)等先进封装技术。BGA技术在缩减体积的同时提高了系统性能,CSP技术解决了长期存在的芯片小、封装大的矛盾,引发了集成电路封装领域的技术革命。进入21世纪,三维封装、系统级封装成为新的发展方向,如系统级芯片封装(SoC)、微机电系统封装(MEMS)等,实现了更高的集成度和功能多样化。

1.1.3电子封装工程的范围和层次

电子封装工程是一个广泛而复杂的领域,涵盖了从芯片到系统的多个层面。它不仅包括芯片级封装(0级封装),如将芯片进行初步的封装处理,保护芯片免受外界环境影响;还包括元器件级封装(1级封装),将芯片与其他元件进行组合封装,形成具有特定功能的模块;板卡级封装(2级封装)则是将多个封装好的元器件安装在印刷电路板上,实现电路的互联和功能的集成;整机级封装(3级封装)是将各个板卡等组件组装成完整的电子设备。各个层次相互关联、相互影响,共同构成了电子封装的完整体系。例如,在计算机主板的制造中,首先进行芯片级封装,然后将封装好的芯片与其他元件进行元器件级封装,接着将这些封装好的元器件安装在主板上完成板卡级封装,最后将主板等组件组装到计算机机箱中实现整机级封装,每一个层次的质量和性能都直接影响着最终产品的质量和性能。

1.2封装中的电学互连技术

1.2.1互连技术种类

在微电子封装中,常见的电学互连技术丰富多样,包括引线键合、倒装芯片、硅通孔(TSV)等。引线键合是一种传统且应用广泛的互连技术,通过金属丝将芯片上的焊盘与封装基板上的引脚连接起来,操作方便、灵活,焊点牢固,但存在寄生参数较大、不适用于高频高速应用等缺点。倒装芯片技术则是将芯片翻转,使芯片上的凸点与基板上的焊盘直接连接,具有电气性能好、信号传输速度快、封装尺寸小等优点,但工艺复杂,成本较高。硅通孔技术通过在硅片上钻孔并填充金属等导电材料,实现芯片的垂直互连,能够提高封装密度,减小信号传输延迟,适用于三维集成等高端应用,但对工艺要求极高,制造成本也相对较高。不同的互连技术适用于不同的应用场景,例如,引线键合常用于消费电子等对成本较为敏感的领域;倒装芯片适用于高性能处理器、射频芯片等对电气性能要求较高的场景;硅通孔技术则主要应用于高端的三维集成芯片,如手机中的多芯片模块等。

1.2.2引线键合技术

引线键合技术是在硅芯片上的IC与其封装之间创建互连的常用方法,即将细线从器件上的键合焊盘连接到封装上的相应焊盘(即引线),建立从芯片内部电路到连接到印刷电路板(PCB)的外部引脚的电气路径。该过程首先将一根电线放置在细长焊接工具末端的下方,施加精确的力,将导线推向电极表面,导致接触点产生初始变形。能量来自产生60kHz左右机械振荡的超声波装置,这些振荡通过焊接工具传导至熔化区域,持续时间约为100毫秒。超声波振动产生的摩擦会在界面处产生局部加热,当与键合工具施加的压力相结合时,会促进原子在界面上的扩散。当线材和基材材料的原子由于机械变形和摩擦效应而紧密接近时,它们开始形成金属间化合物,这些化合物通常比母体材料更稳定,并确保导线和基材之间的牢固结合。引线键合在各类封装技术中应用广泛,约占

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