模拟电子技术电子教案第四章.pptVIP

4.3场效应管的主要参数极限参数漏极最大允许耗散功率PDm漏源间击穿电压BUDS栅源击穿电压BUGS．第29页，共41页，星期日，2025年，2月5日第1页，共41页，星期日，2025年，2月5日第四章场效应管放大电路第2页，共41页，星期日，2025年，2月5日教学目标场效应管是电压控制器件。建议在学习本章内容时，注意与三极管及三极管放大电路对比学习。本章应掌握以下内容：掌握效应管的主要特点熟悉场效应管的工作原理了解场效应管放大器的分析方法第3页，共41页，星期日，2025年，2月5日教学内容4.1结型场效应管4.2绝缘栅场效应管4.3场效应管的主要参数4.4场效应管的特点4.5场效应管放大电路第4页，共41页，星期日，2025年，2月5日晶体三极管是电流控制器件，输入端始终存在电流，故晶体三极管组成的放大电路，其输入电阻均不高。场效应管是电压控制器件，输入端电流可以为零，故晶体三极管组成的放大电路，其输入电阻可以做得很大。第5页，共41页，星期日，2025年，2月5日场效应管分类按其结构的不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。按工作性能可分为耗尽型和增强型。根据载流子通道又可分为N沟道场效应管和P沟道场效应管。第6页，共41页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类第7页，共41页，星期日，2025年，2月5日4.1结型场效应管第8页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.结构、符号第9页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理第10页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理第11页，共41页，星期日，2025年，2月5日结型场效应管的工作基理仍是PN结。此时PN结必须是反向偏置．其工作过程：改变栅极电压UGS的大小→改变PN结阻挡层的宽窄→改变载流子通道(沟道)的宽窄→改变通道电阻的大小→从而控制漏极电流iD的大小。工作原理小结第12页，共41页，星期日，2025年，2月5日3.特性曲线输出特性曲线反映了当栅源电压一定时，漏极电流iD与漏源电压UDS间的关系曲线．第13页，共41页，星期日，2025年，2月5日3.特性曲线654321u/VGSPU=-4Vi/mADDSSI0-1-2-3-4图4-5N沟道结型场效应管的转移特性曲线转移特性曲线反映了栅极电压对漏极电流的控制能力，即iD=f(UGS)|UDS=常数Up为夹断电压第14页，共41页，星期日，2025年，2月5日3.特性曲线第15页，共41页，星期日，2025年，2月5日3.特性曲线VP第16页，共41页，星期日，2025年，2月5日小结沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受UGS控制预夹断前iD与UDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG?0，输入电阻很高。第17页，共41页，星期日，2025年，2月5日4.2绝缘栅场效应管增强型(Enhancement)耗尽型(Depletion)N沟道P沟道N沟道P沟道MOSFET绝缘栅型(IGFET)第18页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.增强型结构、符号栅极与衬底间有一层绝缘层，故栅极电流iG=0。所以其输入电阻可进一步提高，可达1014欧．SiO2绝缘层第19页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.增强型结构、符号第20页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.增强型工作原理第21页，共41页，星期日，2025年，2月5日3.增强型特性曲线UT为开启电压第22页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.耗尽型结构、符号第23页，共41页，星期日，2025年，2月5日1.耗尽型结构、符号第24页，共41页，星期日，2025年，2月5日2.耗尽型工作原理第25页，共41页，星期日，2025年，2月5日3.耗尽型特性曲线Up为夹断电压第26页，共41页，星期日，2025年，2月5日4.3场效应管的主要参数直流参数饱和漏极电流IDSS夹断电压UP开启电