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场效应管放大器第1页，共36页，星期日，2025年，2月5日5.1场效应管1.特点:(1)导电能力由电压控制的半导体器件。(2)仅靠多数载流子导电,又称单极型晶体管。(3)体积小、耗电少、寿命长等优点，(4)输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。(5)广泛用于大规模及超大规模集成电路。第2页，共36页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)2.场效应管分类：第3页，共36页，星期日，2025年，2月5日N基底：N型半导体PP两边是P区G栅极S源极D漏极结构:导电沟道PN结5.1.1结型场效应管:第4页，共36页，星期日，2025年，2月5日P沟道结型场效应管DGSN沟道结型场效应管DGS符号：第5页，共36页，星期日，2025年，2月5日二、工作原理（以N沟道为例）当UDS=0V时：UGS*若加入UGS0,PN结反偏，耗尽层变厚*若UGS=0,沟道较宽，沟道电阻小沟道变窄，沟道电阻增大*若UGS=VP（夹断电压）时沟道夹断，沟道电阻很大|UGS|越大,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。沟道夹断时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS?0V，漏极电流ID=0A。加入UGS使沟道变窄，该类型效应管称为耗尽型第6页，共36页，星期日，2025年，2月5日漏源电压VDS对iD的影响当VDS继续增加时，预夹断区向源极方向伸长。*在栅源间加电压VGS，漏源间加电压VDS。由于漏源间有一电位梯度VDS上端（漏端）VGD=VGS-VDS即|VGD|=|VGS|+|VDS|下端（源端）VGD=VGS使沟道呈楔形耗尽层上下量端受的反偏电压不同沟道夹断前，iD与vDS近似呈线性关系。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断点。随VDS增大，这种不均匀性越明显。电阻增大，使VDS增加不能使漏极也增大，漏极电流iD趋于饱和。第7页，共36页，星期日，2025年，2月5日4.1.2伏安特性曲线及参数特点:(1)当vGS为定值时,管子的漏源间呈线性电阻，且其阻值受vGS控制，（iD是vDS的线性函数）。（2）管压降vDS很小。用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件：源端与漏端沟道都不夹断（1）可变电阻区1、输出特性曲线：第8页，共36页，星期日，2025年，2月5日（动画2-6）用途:可做放大器和恒流源。（2）恒流区：(又称饱和区或放大区）条件:(1)源端沟道未夹断(2)漏端沟道予夹断(2)恒流性：输出电流iD基本上不受输出电压vDS的影响。特点:(1)受控性：输入电压vGS控制输出电流为饱和漏极电流IDSS第9页，共36页，星期日，2025年，2月5日（3）夹断区：用途：做无触点的、接通状态的电子开关。条件：整个沟道都夹断（4）击穿区当漏源电压增大到时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD剧增的区域。其值一般为（20—50）V之间。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越负，对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。特点：第10页，共36页，星期日，2025年，2月5日2、转移特性曲线输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制第11页，共36页，星期日，2025年，2月5日结型场效应管的特性小结结型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型第12页，共36页，星期日，2025年，2月5日5.1金属-氧化物-半导体场效应管绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor)——MOSFETN沟道P沟道增强型N沟道P沟道耗尽型增强型(N沟道、P沟道),VGS=0时无导电沟道，iD=0耗尽型(N沟道、P沟道)，VGS=0时已有导电沟道。类型及其符号:第13页，共36页，星期日，202