镧系元素掺杂对BiFeO₃薄膜结构与性能的影响：从微观到宏观的深入剖析.docxVIP

镧系元素掺杂对BiFeO?薄膜结构与性能的影响：从微观到宏观的深入剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

多铁材料作为材料科学领域的研究热点，因其独特的多功能性质，在众多领域展现出巨大的应用潜力，吸引了科研人员的广泛关注。多铁材料是一类同时具有两种或两种以上铁性（如铁电性、铁磁性和铁弹性）的材料，这些铁性之间存在强烈的耦合效应，使得多铁材料具备了许多优异的性能，为新型功能材料器件的设计提供了更多自由度，也使得电场（或磁场）调控磁（或电）成为可能。在多铁材料中，BiFeO?（铁酸铋）以其较高的居里温度（T_C=1103K）和奈尔温度（T_N=643K），成为目前发现的唯一在室温下就同时具有铁电性和反铁磁性的单相多铁材料，这一特性使其在室温条件下的应用具有显著优势，因而受到了广泛关注。BiFeO?薄膜在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域展现出了广阔的应用前景。在光电器件中，BiFeO?薄膜作为一种直接带隙半导体材料，其禁带宽度为2.2-2.8eV，在可见光区具有很高的吸收系数和载流子迁移率，可用于吸收可见光产生电子和空穴，实现光催化和光伏效应；在自旋电子器件中，其铁电与反铁磁特性的耦合有望实现新型的信息存储和处理功能；在铁电随机存储器中，利用其铁电性可实现非易失性存储，具有高速、大容量和抗辐射性等优点。

然而，BiFeO?薄膜在实际应用中仍面临一些挑战。在薄膜制备过程中，Bi元素的挥发以及Fe3?还原为Fe2?产生氧空位等缺陷，导致其存在较大的漏电流，这严重制约了它在实际中的运用。此外，其铁电和铁磁性能的强度也有待进一步提高，以满足高性能器件的需求。为了克服这些限制，进一步优化BiFeO?薄膜的多铁特性，元素掺杂技术应运而生。元素掺杂能够在原子层面改变材料的晶体结构和电子态，从而有效地调控材料的电学、磁学等性能。通过合理选择掺杂元素和控制掺杂浓度，可以显著改善BiFeO?薄膜的多铁性能，为其在实际应用中的性能提升提供了可行的途径。

镧系元素由于其独特的电子结构，拥有多个可变化合价态以及较大的离子半径，在掺杂到BiFeO?薄膜中时，能够与BiFeO?的晶格产生特殊的相互作用。一方面，镧系元素可以填充氧空位，减少薄膜中的缺陷，从而降低漏电流；另一方面，其较大的离子半径可以引起晶格畸变，改变材料的晶体结构，进而影响电子云分布和电子的跃迁方式，对BiFeO?薄膜的铁电、铁磁和光学等性能产生显著影响。对镧系元素掺杂调控BiFeO?薄膜多铁性能的研究具有重要的科学意义和实际应用价值。从科学意义角度来看，深入探究镧系元素掺杂对BiFeO?薄膜多铁性能的影响机制，有助于揭示多铁材料中复杂的物理现象和内在规律，进一步丰富和完善多铁材料的理论体系，为多铁材料的设计和性能优化提供坚实的理论基础。从实际应用价值方面考虑，改善后的BiFeO?薄膜在电子传感、信息存储和读取、能量转换等诸多领域具有广阔的应用前景。例如，在信息存储领域，利用其磁电耦合效应可实现新型磁读电写记忆材料的开发，有望大幅提高存储密度和读写速度，降低能耗；在传感器领域，可用于制备高性能的磁电传感器，实现对微弱信号的高灵敏度检测，在生物医学、环境监测等领域发挥重要作用；在能量转换领域，可促进新型发电和节能技术的发展，为解决能源问题提供新的思路和方法。

1.2BiFeO?薄膜概述

1.2.1BiFeO?薄膜的结构特点

BiFeO?薄膜具有菱方钙钛矿结构，属于R3c空间群。其晶体结构可以看作是由立方钙钛矿结构沿着[111]方向发生畸变和拉伸形成的。在这种结构中，Bi3?离子位于氧八面体的中心，Fe3?离子则位于八面体的顶点，氧离子位于八面体的棱上。Bi3?离子相对Fe-O八面体发生位移，导致结构不均匀，从而产生了极化现象。这种结构特点是BiFeO?薄膜具有多铁性的重要基础。从晶体结构的角度来看，BiFeO?的菱方钙钛矿结构赋予了它独特的物理性质。由于氧八面体的扭曲和Bi3?离子的位移，使得BiFeO?在室温下就能够保持铁电性和反铁磁性。具体来说，铁电性源于Bi3?离子的位移所产生的电偶极矩，而反铁磁性则与Fe3?离子的自旋排列有关。这种结构与多铁性之间的内在联系十分紧密，晶体结构的微小变化都可能对其多铁性能产生显著影响。例如，当晶体结构中的氧八面体发生更大程度的扭曲时，可能会增强电偶极矩，从而提高铁电性能；而Fe3?离子自旋排列的改变，则可能影响反铁磁性能。

1.2.2BiFeO?薄膜的性能特点

BiFeO?薄膜具有多种优异的性能特点。在铁电性能方面，它具有较高的剩余极化强度和较低的矫顽场，这使得它在自旋电子学和多功能器件中具有潜在的应用价值。其剩余极化强度使得材料在电场作用下能够保持稳定的极化