稀土铕离子掺杂氧化锌薄膜：制备工艺、光学性能及应用前景的深度剖析.docx

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2025-10-16 发布于上海
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稀土铕离子掺杂氧化锌薄膜：制备工艺、光学性能及应用前景的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与光电器件领域，半导体材料始终占据着关键地位，其中氧化锌（ZnO）薄膜凭借其独特的物理性质，展现出了极为广阔的应用潜力。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体，室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这一特性使得ZnO在室温下即可实现高效的激子发光，为其在短波光电器件中的应用提供了坚实基础。例如，在紫外发光二极管（LED）的制造中，基于ZnO的紫外LED能够发出高强度的紫外光，在医疗消毒、生物检测等领域具有重要应用前景；在紫外探测器方面，ZnO