固体物理中科大.pptVIP

在PN结的N型区，在杂质激发范围内，电子浓度远高于空穴浓度，其EF应在带隙的上半部，靠近导带底；而在P型区，空穴浓度远大于电子浓度，EF在带隙的下半部接近于价带顶。即(EF)N(EF)P，于是电子将从EF高的N型区流向P型区，在PN结的界面上产生电荷的积累，形成一定的接触电势差。第62页，共95页，星期日，2025年，2月5日这个接触电势差使得P型区相当于N型区具有负的电势－VD，从而使P型区中电子的静电势能提高了eVD，即P型区的整个电子能级上移了，eVD恰好补偿P型区与N型区EF原来的差别，即使两边的费米能拉平。平衡时，在接触界面处形成了一能带过渡区，在此区域内，电子和空穴的分布破坏了原来的电中性，形成一空间电荷区，其宽度约为~10－6m的数量级。此区域的强电场对N型区的电子和P型区的空穴都是一个高为eVD的势垒，称为平衡PN结势垒。第63页，共95页，星期日，2025年，2月5日建立稳定的PN结势垒后，从N型区进入P型区电子的浓度nP0为其中，nN0为N型区电子的平衡浓度。同理，进入N型区的空穴浓度pN0为这里，pp0为P型区中空穴的平衡浓度。由此可知，在空间电荷区中，电子（空穴）浓度由N（P）型区的nN0（pp0）按指数形式衰减到P（N）型区的nP0（pN0）。

在平衡PN结中，载流子的扩散和漂移运动处于相对平衡。第64页，共95页，星期日，2025年，2月5日二、PN结的单向导电性若在PN结上加一外电压V，由于空间电荷区中载流子浓度很低，因而电阻很高，PN结势垒将改变eV，从而破坏了原来的平衡，引起载流子的重新分布。1.PN结的正向注入当PN结加正向偏压时，外加电压使空间电荷区中的电场减弱，PN结势垒降低为e(VD-V)，打破了漂移运动与扩散运动的相对平衡。由于PN结加正向偏压，将有部分电子从N型区进入P型区，空穴从P型区进入N型PN第65页，共95页，星期日，2025年，2月5日区，称为非平衡载流子。这种现象称为PN结的正向注入。

由于正向注入，势垒边界上的少数载流子浓度从原来的nP0↗nP和pN0↗pN，根据Boltzmann统计可求得{与平衡是的浓度相比，得和第66页，共95页，星期日，2025年，2月5日即正向偏压使界面处的少数载流子积累，其浓度提高了倍。于是，边界处非平衡载流子的浓度为{这些边界处的非平衡载流子边扩散边复合向体内运动，从而形成扩散电流，扩散电流密度为第67页，共95页，星期日，2025年，2月5日解得本征费米能为在一般情况下，由于kBT较小，且mh*和me*相差不大，所以，本征半导体的费米能EFi近似地在带隙的中间。第30页，共95页，星期日，2025年，2月5日2.非本征半导体对于非本征半导体，其费米能EF及载流子浓度均与杂质原子有关。设半导体中各含一个浅施主和一个浅受主。在一定温度下，导带中的电子可以来自施主的热电离，也可以来自价带的热激发；而价带中的空穴可以产生于带间的热激发或受主的热电离。此外，电子还可以从施主能级落入受主能级。因此，在一定温度下，半导体中两种载流子的浓度并不相同。对本征半导体：第31页，共95页，星期日，2025年，2月5日设半导体中的施主和受主浓度分别为ND和NA。在一定温度下，假设在ND个施主杂质中束缚有nD个电子；而在NA个受主中束缚有pA个空穴。所以，半导体中正电荷的数目为p+ND－nD，负电荷数为n+NA－pA。由于半导体必须保持电中性，即半导体中正负电荷的总数相等。由于杂质能级上只允许一个电子占据，根据统计物理可得，施主杂质能级上的电子占有数为第32页，共95页，星期日，2025年，2月5日而未被电子占据的受主杂质数（或其上的空穴数）为代入电中性关系式得第33页，共95页，星期日，2025年，2月5日根据上式即可确定非本征半导体的费米能EF，并求出相应的电子浓度n和空穴浓度p。对于只有施主杂质ND的N型半导体，在较低温度下，载流子只有由施主杂质电离的导带电子，而从价带跃迁到导带的电子非常少，p?0。这时，电中性条件为可以解得第34页，共95页，星期日，2025年，2月5日其中{当温度很低时，EC－ED2kBT，?2(NC?T3/2)，这时只有部分杂质电离，可近似得第35页，共95页，星期日，2025年，2月5日在一般情况下，ND2NC，所以，在很低温度下这时的N型半导体就好像一个带隙为Eg＝EC－ED的本征半导体一样。在?2