第15章半导体器件.pptVIP

二、伏安特性UI死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBRPN+-PN+-第29页，共62页，星期日，2025年，2月5日三、主要参数1.最大整流电流IOM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。第30页，共62页，星期日，2025年，2月5日3.反向电流IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。第31页，共62页，星期日，2025年，2月5日4.微变电阻rDiDuDIDUDQ?iD?uDrD是二极管特性曲线上工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比：显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。第32页，共62页，星期日，2025年，2月5日5.二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。P+-N第33页，共62页，星期日，2025年，2月5日CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电容的综合效应rd第34页，共62页，星期日，2025年，2月5日二极管的应用举例tttuiuRuoRRLuiuRuo第35页，共62页，星期日，2025年，2月5日§1.3特殊二极管1.3.1稳压二极管UIIZIZmax?UZ?IZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。+-UZ动态电阻：rz越小，稳压性能越好。第36页，共62页，星期日，2025年，2月5日（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。（5）最大允许功耗稳压二极管的参数:（1）稳定电压UZ（2）电压温度系数?U（%/℃）稳压值受温度变化影响的的系数。（3）动态电阻第37页，共62页，星期日，2025年，2月5日稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRL稳压管的技术参数:负载电阻。要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax。求：电阻R和输入电压ui的正常值。——方程1第38页，共62页，星期日，2025年，2月5日令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin。——方程2uoiZDZRiLiuiRL联立方程1、2，可解得：第39页，共62页，星期日，2025年，2月5日1.3.2光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。IU照度增加第40页，共62页，星期日，2025年，2月5日1.3.3发光二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。第41页，共62页，星期日，2025年，2月5日1.4.1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型§1.4半导体三极管第42页，共62页，星期日，2025年，2月5日BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高第43页，共62页，星期日，2025年，2月5日BECNNP基极发射极集电极发射结集电结第44页，共62页，星期日，2025年，2月5日第15章半导体器件第1页，共62页，星期日，2025年，2月5日电子技术模拟电路部分数字电路部分组合逻辑电路基本放大电路时序逻辑电路运