基于VDOS计算步骤与点设置方法.pdfVIP

DOS计算（一）

使用VASP计算，很多时候都逃不掉DOS，能带计算的相关问题，尤其是对于计算材料的童

鞋们，这就是家常便饭一般。群里很多人，很多时候都在讨论DOS的计算。很多新手有疑

惑，这里我们通过VASP的说明，解释一下算DOS的具体步骤。

1K点数目：

1.1与结构优化相比，算DOS的时候，需要用到的K点数目，这是因为K点越多，画出

来的DOS图越平滑。

的话：

AhighqualityDOSrequiresusuallyveryfinek-meshes.

1.2K点数目越多越好，我们该如何设置K点数目。

还记的前面我们讲到的K点选择的经验规则吗？那一个规则可以认为是我们平时计算时K

点选择的标配。对于DOS计算，我们就需要把配置提高一个档次了。

一般来说，K*a=50左右之间完全可以满足你的要求。

2ISMEAR的选择：

2.1看的话：

Forthecalculationofthetotalenergyinbulkmaterialswe

recommendthetetrahedronmethodwithBlöchlcorrections

(ISMEAR=-5).Thismethodalsogivesasmoothniceelectronic

densityofstates(DOS).

也就是说ISMEAR=-5的时候（Blöchl修正的四面体方法），我们可

以得到一个非常平滑的DOS图。

2.1注意部分

1）不能使用ISMEAR=-5的情况：

DOS计算（一）

使用VASP计算，很多时候都逃不掉DOS，能带计算的相关问题，尤其是对于计算材料的

童DOS的计算。很多新手有疑问，这里我们通过VASP的说明，解释一下算DOS的具

体步骤。

1K点数量：

1.1DOS图越平滑。

的话：

高质量的DOS通常需要非常精细的k网格。

1.2K点数量越多越好，我们设置K点数量。

还记得前面我们讲到的K点选择的经验规则吗？DOS计算，我们就需要把配置提高一个档

次了。

总体来说，K*a=50左右之间完全可以满足你的要求。

2ISMEAR的选择：

2.1看的话：

为了计算散装材料的总能量，我们建议使用带有Blöchl修正的四面体

方法(ISMEAR‑5)。该方法还给出了良好平滑的电子态密度(DOS)。

也就是说ISMEAR=‑5的时候(Blöchl修改的四面体方法)，我们可以

获得一个非常平滑的DOS图。

2.1注意部分

1)不能使用ISMEAR=‑5的情况：

如果你的模型很大，只用了一个g点，或者K点的数目小于等于4

的时候，使用ISMEAR=-5会导致计算出错。

2）对于金属体系来说，算能带，DOS的时候，结构保持不动（这是关

键），可以放心使用ISMEAR=-5。但是，结构优化的时候不能使用ISMEAR

=-5，这是因为四面体方法不能很好地处理费米能级处的电子占据情

况，导致算出来的力会有一定百分比的误差。参考：

fferent_methods.html

但

3）和绝缘体的体系可以尽情用ISMEAR=-5，但绝对不能在这两

系中使用ISMEAR0。等于0可以。

4）使用ISMEAR=-5的时候，S