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氮化镓（GaN）器件：特性解析与多元应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子产业对高性能器件的需求日益增长。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，以其卓越的特性在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为当前电子领域研究的热点之一。

传统的硅基半导体器件在面对高频、高压、大功率等应用场景时，逐渐暴露出性能瓶颈。例如，在5G通信基站中，硅基器件的高损耗和低效率限制了信号的传输速度和覆盖范围；在新能源汽车的电力驱动系统里，硅基器件的大尺寸和低功率密度难以满足车辆对轻量化和高效能的需求。而GaN器件凭借其宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率和高热导率等优异特性，为解决这