第一章半导体器件与模型.pptVIP

极限参数集电极最大允许电流ICM反向击穿电压V(BR)CEO、V(BR)CEO、V(BR)CBO集电极最大允许耗散功率PCM使用时不允许超过这些极限参数.V(BR)CEOPCM=ICVCEICM安全工作区过损区iC/mAOvCE第62页，共113页，星期日，2025年，2月5日温度对三极管参数及特性的影响温度T?少子浓度?IC?ICBO?,ICEO?IC=?IB+(1+?)ICBOIB?VBE?载流子运动加剧，发射相同数量载流子所需电压?输入特性曲线左移??载流子运动加剧，多子穿过基区的速度加快，复合减少IC??IB输出特性曲线上移输出特性曲线族间隔加宽温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％温度上升10℃，ICEO将增加一倍温度上升1℃，VBE将下降2～2.5mV第63页，共113页，星期日，2025年，2月5日三极管工作状态的判断[例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？（1）VC＝6VVB＝0.7VVE＝0V（2）VC＝6VVB＝4VVE＝3.6V（3）VC＝3.6VVB＝4VVE＝3.4V解：原则：正偏反偏反偏集电结正偏正偏反偏发射结饱和放大截止对NPN管而言，放大时VC＞VB＞VE对PNP管而言，放大时VC＜VB＜VE（1）放大区（2）截止区（3）饱和区|VBE|≈0.7V发射结正向导通时第64页，共113页，星期日，2025年，2月5日[例2]某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。解：电流判断法。电流的正方向和KCL。IE=IB+ICABCIAIBICC为发射极B为基极A为集电极。管型为NPN管。管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。第65页，共113页，星期日，2025年，2月5日例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为：（1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V（2）U1=6V、U2=11.8V、U3=12V判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。（1）U1b、U2e、U3cNPN硅（2）U1c、U2b、U3ePNP锗原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管发射结正偏，集电结反偏。NPN管UC＞UB＞UEPNP管UC＜UB＜UE。解：第66页，共113页，星期日，2025年，2月5日1.4.6三极管的小信号模型vBEvCE—+-+iCiBVBEQVCC+—viRCvi＝0时对应的偏置电流电压值为静态偏置值。加入vi，电路中的瞬时值为静态值与交流瞬时值的叠加。如vi较小时，其对应变化范围内的输入输出特性可视为直线，此时的非线性器件三极管可等效为线性器件来进行分析。第67页，共113页，星期日，2025年，2月5日小信号的范围VBEQ对应的静态电流为时，上式可展开成幂级数第68页，共113页，星期日，2025年，2月5日忽略二次方及以上项可得:三极管的跨导：此时，输出电流瞬时值与输入电压瞬时值成线性关系。小信号的条件：第69页，共113页，星期日，2025年，2月5日三极管放大工作时，在静态点上叠加交流小信号，三极管对交流信号具有线性传输特性，三极管可用线性有源网络来进行等效。此网络具有和三极管相同的端电压、电流关系，为三极管的小信号模型。小信号模型的获得有两种途径：由物理结构和数学模型可以得到混合π型等效电路。视三极管为二端口网络，利用端口电流电压关系，得到网络参数模型。第70页，共113页，星期日，2025年，2月5日1、共发射极三极管混合π型模型的引入vBEvCE—+-+iCiBVCCVBEQ+—viRC在工作点Q附近展开成泰勒级数第71页，共113页，星期日，2025年，2月5日小信号时可忽略高阶项，并利用可得为简化表达，引入四个g参数输出短路时的输入电导输出短路时的正向传输电导（跨导）输入短路时的输出电导输入短路时的反向传输电