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等离子体技术改性Ge表面及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，锗（Ge）材料凭借其独特的性能优势，逐渐成为研究热点。与传统的硅材料相比，锗具有更高的电子和空穴迁移率，这使得电子在锗材料中传输速度更快，能够有效提升器件的运行速度和降低功耗。同时，锗在通信波段有着较高的吸收系数，在光电器件应用方面展现出巨大潜力。其与成熟的硅工艺相兼容的特性，为锗在现有半导体产业基础上实现集成提供了便利条件，因此成为下一代高性能微电子器件的首选替代材料之一。

然而，锗材料在实际应用中也面临一些挑战。其中，漏电流大是锗器件的一个致命缺点。大漏电流不仅会导致器件功耗增加，还可能影响器件的稳定性和可靠性，限制了锗器件在一些对功耗和稳定性要求较高的领域的应用。随着锗器件尺寸的不断缩小，一些小尺寸效应逐渐显现，如短沟道效应等，这些效应会进一步影响器件的性能和特性，增加了器件设计和制造的难度。

绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点，为解决体Ge材料器件的不足提供了新的途径。GOI独特的全介质隔离结构，能够有效减少漏电流，提高器件的性能和稳定性。在智能剥离技术（Smart-cutTM）是获得低缺陷密度GOI材料的最有效方法之一，但该技术需要在低退火温度下获得高键合强度，这对键合前Ge晶片的表面处理提出了极高的要求。合适的表面处理方法能够改善Ge晶片表面的物理和化学性质，增强键合界面的结合力，从而获得高质量的GOI材料。

在Al/n-Ge接触中，良好的接触特性对于实现高效的电子传输和器件性能至关重要。然而，由于Ge材料与Al之间的界面特性复杂，容易形成高电阻的界面层，影响接触的电学性能。通过对Ge表面进行等离子体改性，可以优化界面结构和性质，降低接触电阻，提高载流子的注入效率，进而提升Al/n-Ge接触的性能。

等离子体改性作为一种有效的材料表面处理方法，在解决锗材料上述问题方面具有重要的应用价值。等离子体是由部分电子被剥夺后的原子以及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气状物质，具有高度活性、高能量等特点。当等离子体与Ge表面相互作用时，其中的高能离子和活性粒子会轰击Ge表面，清除表面的污渍、油脂和其他杂质，实现表面的清洁。这些高能离子和活性粒子还会与Ge表面原子发生碰撞，导致表面原子能量的增加，引发表面原子的重排和再结晶，形成新的表面结构。等离子体中的活性基团还可能与Ge表面发生化学反应，引入新的官能团，从而改变表面的化学性质。通过精确控制等离子体处理的参数，如等离子体源的类型、处理时间、功率等，可以实现对Ge表面性质的精确调控，满足不同应用场景对Ge表面性能的要求。因此，研究Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用，对于推动锗基半导体器件的发展具有重要的理论和实际意义。

1.2国内外研究现状

在Ge表面等离子体改性方面，国内外学者进行了大量研究。国外研究起步较早，在等离子体改性的基础理论和应用技术方面取得了一系列成果。美国的一些研究团队利用射频等离子体对Ge表面进行处理，深入研究了等离子体与Ge表面的相互作用机制，通过高分辨率电子显微镜和光谱分析等手段，详细分析了改性后Ge表面的微观结构和化学组成变化。欧洲的研究机构则侧重于开发新型的等离子体处理设备和工艺，以实现对Ge表面改性的精确控制和大规模生产应用。例如，采用微波等离子体技术，在提高处理效率的同时，能够更好地控制改性层的厚度和均匀性。

国内在该领域的研究近年来也取得了显著进展。一些高校和科研机构通过自主研发和引进先进设备，开展了多方面的研究工作。利用等离子体浸没离子注入技术对Ge表面进行改性，研究了注入离子种类、能量和剂量对Ge表面电学和光学性能的影响。通过实验和模拟相结合的方法，深入探讨了等离子体改性过程中的物理和化学过程，为优化改性工艺提供了理论依据。

在Ge表面等离子体改性在GOI中的应用方面，国外已经有部分研究报道。一些研究团队通过等离子体处理改善Ge晶片表面的亲水性和粗糙度，提高了Ge与绝缘层之间的键合强度，成功制备出高质量的GOI材料。并对GOI材料的电学性能和晶体质量进行了详细表征，分析了等离子体改性对GOI材料性能的影响机制。国内也在积极开展相关研究，通过优化等离子体处理参数和键合工艺，制备出具有低缺陷密度和良好电学性能的GOI材料，并将其应用于制备高性能的光电器件。

在Ge表面等离子体改性在Al/n-Ge接触中的应用方面