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光电催化用功能阴电极的制备及其性能研究

一、引言

（一）研究背景与意义

在全球能源危机与环境污染问题日益严峻的当下，寻找可持续、清洁的能源解决方案已刻不容缓。光电催化技术作为一种极具潜力的绿色技术，能够将太阳能高效转化为化学能，为解决能源和环境问题提供了新的路径。在众多应用中，水分解制氢可产生清洁能源氢气，为未来氢能社会奠定基础；CO?还原能够将温室气体转化为有价值的碳氢燃料，缓解碳排放压力；有机污染物降解则可有效净化环境，保障生态安全。

功能阴电极在光电催化体系中扮演着核心角色，其性能优劣直接决定了整个体系的反应效率和稳定性。从本质上讲，阴电极负责在光电催化反应中接收光生电子，并驱动还原反应的进行。若阴电极材料的活性不足，光生电子无法快速有效地参与反应，就会导致电荷积累，进而引发光生电荷的快速复合，极大地降低光电转换效率。同时，若阴电极在长时间的光电催化反应中稳定性欠佳，出现材料光腐蚀现象，不仅会缩短电极的使用寿命，增加成本，还可能导致反应性能逐渐下降，无法满足实际应用的需求。因此，开发高活性、长寿命的阴电极材料，是突破光电催化技术瓶颈，推动其从实验室研究走向规模化工业应用的关键所在。

（二）核心科学问题

尽管光电催化技术展现出巨大的应用潜力，但目前功能阴电极的性能提升面临诸多挑战。首先，光生电荷的快速复合是一个亟待解决的关键问题。当半导体材料受到光照激发产生电子-空穴对后，由于材料内部存在缺陷、杂质等因素，电子和空穴很容易在短时间内重新结合，无法及时参与到电极表面的氧化还原反应中，这严重限制了光电转换效率的提高。

其次，材料光腐蚀问题也是制约阴电极性能的重要因素。在光电催化过程中，阴电极处于复杂的电化学环境中，受到光、电场以及电解液中各种离子的作用，材料表面容易发生化学反应，导致结构和组成的改变，进而引起性能的衰退。例如，一些半导体材料在光照和电解液的共同作用下，会发生溶解、氧化等现象，使得电极的活性位点减少，导电性降低。

此外，界面电荷传输效率低也不容忽视。阴电极与电解液之间的界面是电荷转移和反应发生的关键区域，但由于界面存在较大的电阻和电荷转移势垒，光生电荷在从阴电极传输到电解液中的过程中会受到阻碍，导致电荷传输效率低下，影响反应速率和电流密度。

为了攻克这些难题，通过材料设计、结构调控及表面修饰等策略对阴电极进行优化成为当前研究的关键方向。在材料设计方面，需要探索新型的半导体材料或复合材料，通过调整其能带结构和电子性质，提高光生电荷的分离效率和寿命；在结构调控方面，可设计具有特殊形貌和孔隙结构的电极，增加光吸收面积和活性位点，促进电荷传输；表面修饰则可以通过在电极表面引入特定的功能基团或涂层，改善界面性质，抑制光腐蚀，提高电荷传输效率。

二、功能阴电极制备方法及材料设计

（一）半导体基阴电极制备技术

1.氧化亚铜（Cu?O）基纳米阵列电极

氧化亚铜（Cu?O）作为一种重要的p型半导体，具有合适的带隙（约2.0-2.2eV），能够吸收可见光，且其理论光电流密度较高，在光电催化领域展现出巨大的应用潜力。为了充分发挥Cu?O的性能优势，采用化学刻蚀结合退火工艺，在导电基底（如FTO玻璃）上制备Cu?O纳米阵列。

在化学刻蚀过程中，选用NaOH与过硫酸铵混合溶液作为刻蚀液。NaOH能够调节溶液的pH值，而过硫酸铵则作为氧化剂，与铜基体发生化学反应，实现对铜的氧化刻蚀。通过精确调控刻蚀液浓度，能够有效控制刻蚀反应的速率和程度。当刻蚀液浓度较低时，刻蚀反应缓慢，生成的氢氧化铜纳米线阵列较为稀疏且短小；随着刻蚀液浓度的增加，反应速率加快，氢氧化铜纳米线的生长速度和密度也相应提高，但过高的浓度可能导致刻蚀过度，使纳米线的质量和形貌受到影响。

刻蚀完成后，得到附着在铜基体上的氢氧化铜纳米线阵列。接着将其进行退火处理，在600-650℃的高温下，在Ar氛围中进行煅烧。Ar气作为一种惰性气体，能够隔绝空气中的氧气，防止在高温下氢氧化铜被进一步氧化成氧化铜，确保氢氧化铜能够顺利分解并转化为氧化亚铜。在这个温度范围内，随着退火温度的升高，氧化亚铜纳米阵列的结晶度逐渐提高，晶格结构更加完整，缺陷减少，从而有利于电子的传输和光生载流子的分离。同时，高温退火还能够促进纳米阵列的生长，使其高度从1.0-1.8μm逐渐增加，增大了电极的比表面积，更多的活性位点得以暴露，从而显著提升了光吸收效率，为光电催化反应提供了更多的反应场所，增强了电极的催化活性。

2.异质结结构设计（以NiFe-LDH/Mo基半导体为例）

为了进一步提升阴电极的性能，通过构建异质结结构，利用不同材料之间的协同效应，成为了一种有效的策略。以NiFe-LDH/Mo基半导体为例，利用水热法与电沉积法结