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InGaN低维材料载流子动力学与GaN基绿光VCSEL制备的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域，InGaN低维材料与GaN基绿光垂直腔面发射激光器（VCSEL）占据着举足轻重的地位，对推动光电器件的发展发挥着关键作用。

InGaN低维材料作为直接带隙半导体，其带隙可通过改变In组分在较大范围内灵活调节，这一特性使其在从紫外到绿光的光谱区间都能实现高效的光电转换。这种独特的性质使得InGaN低维材料在众多光电器件中得到广泛应用。例如，在发光二极管（LED）领域，InGaN基LED凭借其高光效、长寿命等优势，已成为照明和显示技术的核心器件，极大地改变了人们的生活和工作方式；在光探测器方面，InGaN低维材料能够对不同波长的光产生灵敏响应，在光通信、生物医学检测等领域发挥着重要作用，为信息的准确获取和传输提供了保障。

载流子动力学是研究InGaN低维材料光学和电学性质的核心内容。深入了解载流子在InGaN低维材料中的产生、复合、传输和俘获等动力学过程，对于优化材料性能和器件设计具有至关重要的意义。以LED为例，精确掌握载流子的复合机制，能够有效提高其发光效率，降低能耗，从而推动照明技术向更节能、更环保的方向发展；在激光二极管中，明晰载流子的传输特性，有助于降低阈值电流，提高输出功率和光束质量，进而拓展其在光通信、激光加工等领域的应用范围。

GaN基绿光VCSEL作为一种新型的光发射器件，具有诸多独特优势。其发射的绿光在可见光谱中处于重要位置，在激光显示、可见光通信、生物医疗等领域展现出巨大的应用潜力。在激光显示领域，绿光VCSEL作为三基色光源之一，能够提供高亮度、高纯度的绿光，显著提升显示画面的色彩饱和度和对比度，为用户带来更加逼真、生动的视觉体验；在可见光通信方面，绿光VCSEL可利用可见光进行高速数据传输，具有通信速率高、安全性好、无电磁干扰等优点，有望成为未来室内高速无线通信的重要解决方案；在生物医疗领域，绿光对生物组织具有良好的穿透性和低毒性，可用于生物成像、光动力治疗等，为疾病的诊断和治疗提供了新的手段。

然而，目前InGaN低维材料和GaN基绿光VCSEL的研究仍面临诸多挑战。在InGaN低维材料中，由于In和Ga原子半径的差异以及晶格失配等问题，会引入大量的缺陷和应力，这些因素严重影响载流子的动力学过程，导致发光效率降低、器件性能不稳定等问题。在GaN基绿光VCSEL的制作方面，实现高质量的InGaN有源区生长以及制备高反射率、低损耗的分布式布拉格反射镜（DBR）仍然是亟待解决的难题，这限制了绿光VCSEL的阈值电流、输出功率和可靠性等性能的进一步提升。

因此，开展InGaN低维材料载流子动力学研究及GaN基绿光VCSEL制作的研究具有重要的科学意义和实际应用价值。通过深入探究InGaN低维材料的载流子动力学机制，可以为材料的优化和性能提升提供坚实的理论基础；同时，研发创新的GaN基绿光VCSEL制作工艺，有望突破现有技术瓶颈，实现高性能绿光VCSEL的制备，从而推动光电子器件在各个领域的广泛应用和发展。

1.2国内外研究现状

近年来，InGaN低维材料载流子动力学和GaN基绿光VCSEL制作的研究取得了显著进展，但也存在一些尚未解决的问题。

在InGaN低维材料载流子动力学研究方面，国内外学者运用多种先进的实验技术和理论方法，对载流子的复合、传输和俘获等过程进行了深入探究。通过时间分辨光致发光光谱（TRPL）技术，能够精确测量载流子的寿命和复合速率，研究发现InGaN量子阱中的载流子复合过程受到量子限制斯塔克效应（QCSE）和缺陷态的显著影响。QCSE会导致能带倾斜，使载流子的波函数发生空间分离，从而降低辐射复合效率；而缺陷态则为载流子提供了非辐射复合中心，进一步减少了发光效率。通过理论计算模拟，研究人员深入分析了载流子在InGaN材料中的散射机制，发现声学声子散射和极化光学声子散射在不同温度和电场条件下对载流子迁移率起着关键作用。在低温下，声学声子散射占主导地位，而在高温和高电场下，极化光学声子散射的影响更为显著。

尽管取得了这些成果，但目前对InGaN低维材料中载流子动力学的理解仍存在不足。例如，对于InGaN量子点中载流子的俘获和逃逸过程，由于量子点的尺寸和形状分布不均匀，以及表面态的影响，其动力学机制尚未完全明晰。此外，在高注入条件下，载流子之间的相互作用以及多体效应变得更加复杂，这方面的研究还相对较少，需要进一步深入探索。

在GaN基绿光VCSEL制作方面，国内外研究主要集中在优化有源区结构、提高DBR反射率和降低器件