差动运算放大器.pptVIP

3.4MOS继承运算放大器的主要单元3.4.1MOS集成运放的主要特点3.4.2MOS集成运放中的基本单元电路*第60页，共102页，星期日，2025年，2月5日3.4.1MOS集成运放的主要特点MOS集成运算放大器的组成和双极型集成运算放大器相同，各部分电路结构及作用也基本相似，只不过MOS集成工艺主要适用于制造数字集成电路，对于模拟集成电路来说，在性能上和双极型运放相比还有一定的差距。但由于MOS集成运放具有制造工艺简单、集成度高、功耗低以及温度特性好等优点，随着集成制造工艺的发展，这些优势已经逐渐显现，特别在模拟和数字的混合系统中，MOS电路更加显示出它的优越性。*第61页，共102页，星期日，2025年，2月5日MOS集成运算放大器主要有NMOS和CMOS两种类型。NMOS集成运放全部由N沟道MOS管构成，具有工艺简单、集成度高的优点。CMOS集成运放是互补的MOS电路，由互补的NMOS管和PMOS管构成，这种CMOS制造工艺具有设计灵活、低功耗等特点。*第62页，共102页，星期日，2025年，2月5日3.4.2MOS集成运放中的基本单元MOS继承运算放大器与由差动输入级，中间级别，输出级和偏置电路几部分组成*第63页，共102页，星期日，2025年，2月5日3.4.2MOS集成运放中的基本单元1、MOS管差动输入级电路采用MOS管构成差动放大电路，如图3-28所示，可以提高输入电阻。图3-28为双入单出的CMOS管差动输入级。图3-281、MOS管差动放大电路其中NMOS管V1和V2为差放工作管；PMOS管V3和V4组成镜像电流源，作为V1和V2的有源负载；V5为单管电流源，为差放管提供偏置电流。MOS管差动放大电路仍具有放大差模、抑制共模的特点。*第64页，共102页，星期日，2025年，2月5日2、MOS管基本镜像电流源基本场效应管镜像电流源如图3-29所示。从中可得出：IREF=UCC-UGS根据场效应管的转移特性曲线即可确定IREF。因为MOS管的Ig=0。所以在V1和V2对称的条件下，有IO=IREF。图3-29MOS管基本镜像电流源*第65页，共102页，星期日，2025年，2月5日3.5常用集成运算放大器3.5.1集成运算放大器的基本概念3.5.2集成运放的组成与工作原理3.5.3集成运放的主要参数3.5.4集成运放在电子技术中的运用*第66页，共102页，星期日，2025年，2月5日3.5.1集成运算放大器的基本概念1、集成运算放大器的性质2、集成运算放大器的电路符号3、集成运算放大器的外形（a）双列直插式；（b）扁平式；（c）圆壳式*第67页，共102页，星期日，2025年，2月5日3.5.1集成运算放大器的基本概念4、理想集成运放的模型(1)开环差模电压放大倍数Aud=uo/(u+-u-)→∞(2)差模输入电阻，rid→∞(3)输出电阻，ro→0(4)共模抑制比，KCMRR→∞实际上：μA741Aud→100dBrid→1MΩ以上对工程计算来讲，已十分精确*第68页，共102页，星期日，2025年，2月5日3.5.2集成运放的组成与工作原理从20世纪60年代发展至今已经历了四代产品，μA741（F007）和单极型CMOS集成运放5G1457为例对运放多级电路的基本原理和功能进行简单介绍。*第69页，共102页，星期日，2025年，2月5日1、集成运算放大器μA741（F007）μA741（F007）是第二代双极型通用集成运算放大器，具有高电压放大倍数、高输入电阻、高共模抑制比、低功耗及有过载保护等优点。图3-45为集成运放μA741的电路原理图。*第70页，共102页，星期日，2025年，2月5日1、集成运算放大器μA741（F007）图3-45集成运算放大器μA741电路原理图*第71页，共102页，星期日，2025年，2月5日1、集成运算放大器μA741（F007）整个电路共有24个晶体三极管，10个电阻和一个电容组成。电路有12个引脚，②脚是反相输入端，③脚是同相输入端，⑥脚是输出端，④脚是负电源端（-15V），⑦脚是正电源端（