单极型半导体器件.pptVIP

单极型半导体器件黄君凯教授第1页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授绝缘栅场效应晶体管（金属-绝缘体-半导体场效应晶体管）（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）（IGFET：MISFET，MOSFET）：表面场效应晶体管。基本结构 金属-半导体结构（M-S结构）。 金属–氧化物–半导体结构（MOS结构）。第2页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授3.1金属–半导体接触3.1.1金属–半导体结构一、热平衡时的能带结构 1.几个物理量 电子的真空能级： 半导体内部电子处于势阱中运动，电子从其中逸 出体外刚好处于静止时的能量。 功函数： 一个起始能量等于的电子逸出材料体内进入真 空中所需的最小能量，是以电势表示的功函数。 其中金属功函数为：（3-1）第3页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授 半导体功函数为：（3-2）因此，与掺杂情况有关。电子亲和能： 半导体导带底电子逸出到真空中所需的最小能量。（3-3）式中称为电子亲和势，与掺杂无关，仅由材料决定。 空间电荷区扩散运动空间电荷区内建电场漂移运动热平衡M-S结（仅由半导体表面层杂质提供，如情况）（和都一定，没有净电流）热平衡下的能带结构第4页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授能带结构（Al-n-Si）

第5页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授能带弯曲，形成势垒。半导体势垒：金属势垒（肖特基势垒高度）（3-4）（3-5）[注意]能带弯曲判断方法：

越大处电势越高，但该处电子能量越低。第6页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授势垒 阻挡层（肖特基势垒）：对多子其阻挡作用（电阻高）。 反阻挡层（肖特基势阱）：对多子起“反”阻挡作用（电阻低）。由式（2-32）得出，肖特基势垒宽度为：（3-6）[例题7]画出金属（功函数）-半导体（功函数）结 （包括n、p型）四种平衡状态的能带图。第7页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授[分析]第8页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授二、非平衡时的能带结构判断MS结正反偏置依据分析和方向是否能带结构 平衡 非平衡相反：正向偏置相同：反向偏置势

垒电阻高电阻低动力：外加电源提供净电流流动第9页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授第10页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授2.电容效应 类似于结，外偏压下半导体耗尽层宽度W将改 变，空间电荷也将改变，故存在势垒电容。由式（2-36） （2-37）易证明，MS结单位面积势垒电容可写成：（3-7）这里：（3-8） 因此，通过实验测量的曲线，依据式（2-39）（2-40）便可求出半导体势垒高度及其体内的杂质浓 度分布。第11页，共19页，星期日，2025年，2月5日黄君凯教授[例题8