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Si基ZnO纳米结构的构筑、生长机制与性能探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，纳米材料凭借其独特的物理化学性质，成为众多领域研究的焦点。ZnO作为一种直接宽带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，展现出众多优异的性能，在半导体照明、紫外光电器件、传感器等领域具有巨大的应用潜力。

从光学性能来看，ZnO纳米结构对紫外线具有较强的吸收能力，且在可见光区域具有良好的透明性，这使其在光电器件如发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等方面有着广阔的应用前景。在电学性能方面，ZnO纳米结构具有较高的电子迁移率和良好的光电转换能力，