氧化镓单晶抛光片标准制定发展报告.docx

氧化镓单晶抛光片标准制定发展报告

---

摘要

本报告旨在阐述制定氧化镓单晶抛光片标准的必要性、目的意义及其技术范围。氧化镓（β-Ga?O?）作为一种新兴宽禁带半导体材料，因其优异的物理特性（如宽禁带、高击穿场强等），在功率电子器件、深紫外探测和衬底材料等领域展现出巨大潜力。随着全球产业规模预计在2030年突破千亿元，制定相关标准对推动我国技术自主、规范产业发展至关重要。本报告详细分析了标准制定的背景、技术内容及其对行业发展的促进作用。

---

要点列表

1.材料优势：氧化镓单晶具有宽禁带（4.9eV）、高击穿场强（8MV/cm）、高巴利加优值（3444）及日盲波段匹配等特性，适用于高性