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Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷激光扫描法测试标准发展报告

摘要

本报告旨在阐述制定Ⅲ族氮化物半导体晶圆表面缺陷激光扫描法测试标准的目的、意义、范围及主要技术内容。Ⅲ族氮化物半导体（如氮化镓、氮化铝等）作为宽禁带半导体材料，在半导体照明、激光显示和移动通信等领域具有关键应用价值。然而，异质外延生长导致的高位错密度和晶圆翘曲等问题严重制约了器件性能。通过激光扫描法对晶圆表面缺陷进行标准化检测，可提升产品质量评估的准确性，推动第三代半导体上游产业的健康发展，并完善半导体材料标准体系。本报告详细说明了该标准的适用范围、技术原理及实施方法，强调了其在产业化和技术升级中的重要作用。

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