第1章半导体二极管及其应用南邮.pptVIP

*模拟电子技术*一、二极管整流电路图1.3.9二极管半波整流电路及波形tui0uot0(b)输入、输出波形关系1.3.4二极管基本应用电路VRLuiuo(a)电路iu0第62页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*二、二极管限幅电路图1.3.11二极管上限幅电路及波形tui/V0(b)输入、输出波形关系t0uo/V2.7-5-55(a)电路E2VDRuiuoui≥E+UD(ON)D导通，否则截止。iuUD(on)02.7第63页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*三、二极管开关电路利用二极管的单向导电性来接通或断开电路，在数字电路中得到广泛的应用。在分析这种电路时，应当掌握一条基本原则，即判断电路中的二极管处于导通状态还是截止状态，可以先将二极管断开，然后观察阴、阳两极间所加电压是正偏还是反偏，若正偏则二极管导通，否则，二极管截止。若多个二极管都正偏，则正偏压降大的二极管先导通，然后将导通二极管用等效模型代替，再分析其余二极管的导通、截止情况。现举例说明。第64页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*例1.3.4二极管开关电路如图1.3.14所示。当输入电压u1和u2为0V或5V时，利用二极管理想模型分析，u1和u2在不同取值组合情况下，输出电压uo的值。图1.3.14二极管开关电路表1.3.1例1.3.4输入、输出电压关系u1u2二极管工作状态uoV1V20V0V0V5V5V0V5V5V导通导通截止截止导通截止导通截止0V0V0V5V第65页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*本征载流子浓度随温度升高近似按指数规律增大，所以半导体的导电性能对温度非常敏感。室温下，本征半导体的导电能力很弱。室温下：硅（Si)原子密度为载流子密度为本征载流子浓度讨论第30页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*1.1.2杂质半导体(ImpuritySemiconductor)一、N型半导体（Negativetype）在本征硅（或锗）中，掺入少量的五价元素（磷、砷等），就得到N型半导体。室温时，几乎全部杂质原子都能提供一个自由电子。多子(Majority)（多数载流子）：自由电子；少子(Minority)（少数载流子）：空穴；多子浓度nn≈Nd（施主杂质浓度）第31页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*二、P型半导体（Positivetype）在本征硅（或锗）中，掺入少量的三价元素（硼、铝等），就得到P型半导体。室温时，几乎全部杂质原子都能提供一个空穴。多子（多数载流子）：空穴；少子（少数载流子）：自由电子；多子浓度pp≈Na（受主杂质浓度）第32页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*三、杂质半导体的载流子浓度在热平衡下，两者之间有如下关系：多子浓度值与少子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值ni的平方。对N型半导体对P型半导体第33页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*杂质半导体类型多子少子多子浓度少子浓度载流子浓度与温度关系N型半导体P型半导体杂质半导体载流子小结自由电子空穴空穴自由电子nn≈Ndpp≈Na温度变化对多子浓度影响很小；对少子浓度影响很大。第34页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*1.2PN结1.2.1ＰＮ结的形成平衡时，多子扩散与少子漂移达到平衡，即扩散过去多少多子，就有多少少子漂移过来。开始扩散运动占优势；内电场形成，阻止多子扩散，但引起少子漂移；第35页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*1.2.2ＰＮ结的单向导电特性一、PＮ结加正向电压外加电场，多子被强行推向耗尽区，中和部分正、负离子使耗尽区变窄，内电场削弱。由于内电场减弱，有利于多子的扩散，多子源源不断扩散到对方，形成扩散电流，通过回路形成正向电流．由于UB较小，因此只需较小的外加电压U，就能产生很大的正向电流第36页，共92页，星期日，2025年，2月5日*模拟电子技术*外加电场强行将多子推离耗尽区，使耗尽区变宽，内电场增强。内电场增强，多子扩散很难进行，而有利于少