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Ruichips-RU40L10H宏盛微优势代理74.pdfVIP

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    RU40L10H

    P-ChannelAdvancedPowerMOSFET

    MOSFET

    FeaturesPinDescription

    •-40V/-9.5A,

    RDS(ON)=19mΩ(Typ.)@VGS=-10V

    RDS(ON)=30mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V

    •SuperHighDenseCellDesign

    •ReliableandRugged

    •ESDProtected

    SOP-8

    •LeadFreeandGreenAvailable

    Applications

    •DC-DCConverter.

    AbsoluteMaximumRatingsP-ChannelMOSFET

    SymbolParameterRatingUnit

    CommonRatings(T=25°CUnlessOtherwiseNoted)

    A

    VDSSDrain-SourceVoltage-40

    V

    VGSSGate-SourceVoltage±20

    TJMaximumJunctionTemperature150°C

    TSTGStorageTemperatureRange-55to150°C

    IDiodeContinuousForwardCurrentT=25°C-9.5A

    SC

    MountedonLargeHeatSink

    IDP300μsPulseDrainCurrentTestedT=25°CA

    C-38

    T=25°C-9.5

    C

    IDContinuousDrainCurrent(VGS=-10V

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