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2025-10-23 发布于广东
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RU30C30L4

ComplementaryAdvancedPowerMOSFET

FeaturesPinDescription

•N-Channel

D1/D2

30V/30A,

RDS(ON)7mΩ(Typ.)@VGS10V

RDS(ON)10mΩ(Typ.)@VGS4.5V

•P-Channel

-30V/-30A,

RDS(ON)11mΩ(Typ.)@VGS-10V

RDS(ON)14mΩ(Typ.)@VGS-4.5V

S1G1

•FastSwitchingSpeed

S2G2

•LowgateCharge

•ESDprotected

TO252-4L

•LeadFreeandGreenDevicesAvailable(RoHSCompliant)

Applications

•LoadSwitch

ComplementaryMOSFET

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterN-ChannelP-ChannelUnit

CommonRatings(TA25°CUnlessOtherwiseNoted)

VDSSDrain-SourceVoltage30-30

VGSSGate-SourceVoltage±20±20

TJMaximumJunctionTemperature175175°C

TSTGStorageTemperatureRange-55to175-55to175°C

ISDiodeContinuousForwardCurrentTA25°C30-30A

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