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硅单晶电阻率的测试第1页，共11页，星期日，2025年，2月5日目录：一、采样及样品处理二、检测依据及设备三、检测原理及作业指导书四、检测环境及影响因素五、检测数据分析六、检测报告书第2页，共11页，星期日，2025年，2月5日一、采样及样品处理1、采样:单晶片：取单晶棒头部、中部、尾部各三片，要具有代表性。2、样品处理：（1）、试样待测面用320#（28~42μm）或W28(20~28μm)金刚砂研磨或喷砂。（2）、对圆片试样，用5~14μm氧化铝或金刚砂研磨上下表面。第3页，共11页，星期日，2025年，2月5日二、检测依据及设备1、检测依据：第4页，共11页，星期日，2025年，2月5日2、检测设备：第5页，共11页，星期日，2025年，2月5日三、检测原理及作业指导书1、工作原理：样品内部的电位分布为：式中Φ为距离点电流半径为r的半球面上任何一点的电位，I是电流大小，ρ是样品的电阻率。电流流入，Φ取正号；电流流出，Φ取负号。经计算推导得：第6页，共11页，星期日，2025年，2月5日2、作业指导书：（一）方法原理：四探针法（二）仪器设备1.7075（7071）型数字电压表2.四探针测试仪3.样品检测工作台（二）操作步骤1.接通7075或7071数字电压表2.测试电流选择：根据样品电阻率范围选择测量电流档位：3.校样用已知电阻率样块检查测量系统并作好记录。若测量数据落在样块标称数据范围之内，则该系统可以投入使用。如有出入，应请有关人员检查。4.电阻率的测试5.硅单晶电阻率测试的规定第7页，共11页，星期日，2025年，2月5日四、检测环境及影响因素检测环境：常温即可影响因素：1、测试样品的探针到边缘及厚度的距离大于三倍针距以上，样品的几何尺寸必须近似满足半无限大。2、四探针与试样应有良好的欧姆接触，针尖比较尖，与样品接触点为半球形，四探针应处于同一条直线上且间距相等。3、电流I在测量期间应保持恒定，特别是压力不够时，接触电阻很大并且不稳定，造成测试电阻率值不断波动。（以不压坏晶体为前提）。第8页，共11页，星期日，2025年，2月5日
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