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存储器及可编程器件概述

第十章习题

10-1解：ROM内部数据只能由半导体生产厂家编程；PROM可由用户编程，但

只能编程一次；EPROM用户可多次编程，数据的擦除由非电方法，即紫外线

照射完成；EEPROM可电擦除，使用非常方便。

20

10-2解：EPROM27080的容量为1M×8Bit，它的地址线为20条（1M=2）、数据

线为8位、字线为1M（220=1048576）根、位线为8条。

10-3解：共需32Kx16/4Kx8=16片；

先进行位扩展：两片8位扩展为1个16位ROM：

A11~A0

212X8D15~D8

ROMA11~A0

2nX16D15~D0

ROM

CS

212X8D~D

70

CSROM

位扩展

再进行地址线（容量）的扩展：

A11~A0

212x16D15~D0

ROM

CS

A14

MSB

A13

A123-8

译码器

CS

A11~A0

212x16

ROM

地址线的扩展CS

10-4解：１．RAM为随机存储器，又称为读写存储器（RWM），既可向RAM写

数据，又可从中读出数据。在数字系统中，用于暂时存储数据；系统失电，数

据丢失。

２．ＲＯＭ为只读存储器，系统只可从中读出数据，而不可向其写数据。

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存储器及可编程器件概述

通常用于存储程序和固定的数据表格；系统失电，数据不丢失。

３.RAM与ROM都用于存储数据；

10-5解：SRAM为静态RAM，系统不失电，数据不丢失；单位面积上的存储单

元数较少；

DRAM为动态RAM，其中数据需定时刷新，否则数据会丢失。单位面

积上可集成更多的存储单元。

10-6答：DRAM中的数据存储在存储电容上，这些电容的容量都很小；随着时间

的推移，这些电容上的电荷会减少，直至数据丢失；因此需要定时给这些电容

补充电荷（能量）；给电容补充能力的过程称为刷新；在系统中定时将DRAM

中的数据读出，再写回，从而完成刷新。

10-7解：D(A,A,A)=0