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碳化硅功率器件的纳米银烧结工艺创新

目录

文档概要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5

1.1.1碳化硅功率器件发展趋势．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7

1.1.2传统封装连接瓶颈分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10

1.2国内外研究现状．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13

1.2.1纳米银材料应用概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14

1.2.2碳化硅器件烧结技术发展脉络．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15

1.3本文研究目标与内容．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17

1.3.1主要技术挑战识别．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18

1.3.2拟解决的关键问题．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20

碳化硅器件与纳米金属材料基础．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．21

2.1碳化硅功率器件结构特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．24

2.1.1SiC器件材料学基础．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26

2.1.2SiC器件典型封装结构．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．31

2.2纳米银材料的物理化学特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34

2.2.1纳米银微观结构与形态．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．36

2.2.2纳米银优异的导电导热性能．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．38

纳米银烧结工艺现状分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39

3.1常见烧结技术与材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39

3.1.1金属化工艺传统方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．42

3.1.2常用金属丝及浆料对比．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．44

3.2纳米银烧结技术面临的难题．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．46

3.2.1烧结窗口温度精度控制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．49

3.2.2碳化硅基板热物性影响．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．51

3.2.3烧结后微观结构稳定性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．54

创新性纳米银烧结工艺研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．55

4.1工艺创新总体思路．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．58

4.1.1提升连接可靠性的设计理念．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．60

4.1.2针对性优化烧结流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．61

4.2关键工艺参数优化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．63

4.2.1新型前驱体制备与调控．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．66

4.2.2分段升温曲线与氛围控制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．69

4.3固化/激活机制探讨．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．71

4.3.1异质界面扩散行为研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．74

4.3.2附性与导电路径形成机理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．76

实验验证与结果分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．78

5.1实验方案设计与设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．80

5.1.1样品制备流程详细说明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．81

5.1.2测试表征手段介绍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．