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2025级微电子工艺学试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.在硅片表面生长热氧化层时，若氧化气氛中含水量增加，通常会形成哪种类型的氧化层？（）

A.SiO2，且密度增大

B.SiO2，且密度减小

C.Si3N4，且密度增大

D.Si3N4，且密度减小

2.光刻工艺中，定义图形能够被选择性传递的最小线宽通常称为？（）

A.分辨率

B.好像度

C.裁剪尺寸

D.聚焦深度

3.扩散工艺中，用于提高扩散杂质向硅片内部注入深度的工艺是？（）

A.掺杂剂预沉积

B.高温快速热退火

C.离子注入后直接低温退火

D.减小扩散温度

4.在金属-绝缘体-金属（MIM）电容结构中，通常选用哪种材料作为中间的绝缘层？（）

A.SiO2

B.Si3N4

C.SiO2或Si3N4中的高介电常数材料（如HfO2,Al2O3）

D.多晶硅

5.以下哪种工艺主要利用化学反应在基片表面生成薄膜？（）

A.sputtering（溅射）

B.evaporation（蒸发）

C.CVD（化学气相沉积）

D.atomiclayerdeposition（原子层沉积）

6.离子注入过程中，用于控制注入离子束能量的设备是？（）

A.靶材

B.加速器

C.聚焦系统

D.注入机架

7.在半导体工艺中，刻蚀（Etching）的目的通常不包括？（）

A.形成电路隔离结构

B.制作深沟槽

C.完成金属互连的布线

D.去除光刻胶残留物

8.CMOS器件制造中，N阱（N-well）通常是在P型衬底上通过哪种工艺形成的？（）

A.掺杂P型杂质

B.掺杂N型杂质

C.热氧化

D.光刻

9.以下哪种材料通常用作半导体器件的钝化层？（）

A.多晶硅

B.金属铝

C.SiO2

D.硅化物

10.LIGA（深紫外光刻、电铸、加压成型）技术主要用于制造哪种类型的微纳结构？（）

A.器件有源区

B.器件互连网络

C.高深宽比微细结构

D.钝化层

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填写在横线上）

1.硅材料中，最常见的本征缺陷是________和________。

2.光刻胶根据其溶解性可分为正胶和________两种。

3.离子注入后的退火工艺主要目的是________注入离子的激活和形成杂质导电区。

4.薄膜沉积过程中，影响薄膜均匀性的主要因素包括基底旋转速度、________和反应气体流量等。

5.MOSFET器件中，源极和漏极通常是由重掺杂的________区构成。

6.刻蚀工艺根据是否使用等离子体可分为干法刻蚀和________刻蚀。

7.在硅片表面形成SiO2薄膜的热氧化工艺中，若在干氧气氛下氧化，生成的SiO2相对湿氧氧化生成的SiO2________（填“更厚”或“更薄”）。

8.CVD工艺根据反应物供给方式的不同，可分为常压CVD、低压CVD和________CVD。

9.CMOS器件制造中，通常先形成N沟道MOSFET，然后再通过工艺形成P沟道MOSFET，这个过程称为________。

10.金属铝在硅片表面通常会形成一层自然的________层，起到一定的钝化作用。

三、简答题（每小题5分，共20分）

1.简述影响热氧化层生长速率的主要因素。

2.简述光刻工艺中，发生透射光刻和反射光刻的基本条件是什么？并说明各自的优缺点。

3.解释什么是离子注入的“注入剂量”和“注入能量”，并说明它们对器件性能可能产生的影响。

4.简述在MOSFET器件制造中，形成源极和漏极重掺杂区的工艺流程。

四、计算题（每小题8分，共16分）

1.假设在进行N型杂质离子注入时，注入能量为50keV，注入剂量为1×1015cm-2。请估算该杂质离子的平均射程（R）大约是多少微米？（可以使用标准公式R≈0.12*√(E(eV))，其中E为注入能量，单位为eV，射程单位为μm）

2.硅片经过热氧化后，在面积为1cm2的区域内生成了50nm厚的SiO2薄膜。已知SiO2的密度为2.2g/