第三章 传感器.pptVIP

光生伏特效应在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象，基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。势垒效应（结光电效应）：能量大于禁带宽度的光子照射PN结进，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。侧向光电效应：当半导体光器件受光照不均匀时，载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴时，载流子浓度比未受光照部分大，就出现载流子浓度梯度，因而要发生动态不平衡扩散。如果电子迁移率比空穴大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，造成光照射的部分带正电，未被光照射的部分带负电，从而产生光电势。第30页，共64页，星期日，2025年，2月5日光电管结构当入射光很微弱时，普通光电管产生的光电流很小，只有零点几微安，不易探测，此时常用光电倍增管对电流进行放大。第31页，共64页，星期日，2025年，2月5日光电倍增管工作原理光电倍增管除光电阴极外，还有若干个倍增电极，使用时在各个倍增电极上均加上电压，阴极电位最低，从阴极开始，各个倍增电极的电位依次升高，阳极最高。同时这些倍增电极用次级发射材料制成，在一定能量的电子轰击下，产生更多的次级电子。由于相邻两倍增电极间有电位差，存在加速电场，从阴极发出的光电子打到第一个倍增电极上，能引起二次电子发射。每个电子能从这个倍增电极上打出3~6倍个次级电子；被打了的次级电子再经过电场的加速后，打到第二个倍增电极上，如此不断倍增，从而实现光电倍增效果。光电倍增管的灵敏度比普通光电管高几万到几百万倍，即使在很微弱的光照下，也能产生很大的光电流。第32页，共64页，星期日，2025年，2月5日内光电效应器件光敏电阻在受到光照时，由于内光电效应使其地电性能增强，电阻值下降，所以流过负载电阻的电流及其两端是压也随之变化。光线越强，是流越大。当光照停止时，光电效应消失，电阻恢复原值因而可将光信号转换为电信号。第33页，共64页，星期日，2025年，2月5日光电池光电池是在光线照射下直接将光能量转变为电动势的光电元件，实质上它就是电压源。入射光照射在PN结上时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则在PN结内产生电子-空穴对，在内电场的作用下，空穴移向P型区，电子移向N型区，使P型区带正电，N型区带负电，因而形成PN结产生电势。第34页，共64页，星期日，2025年，2月5日光敏二极管和光敏三极管第35页，共64页，星期日，2025年，2月5日霍尔传感器霍尔效应：当半导体薄片置于磁场中，如果在它相对的两边通以控制电流，且磁场方向与电流方向正交，则在半导体另外两边将产生一个大小与控制电流和磁感应强度乘积成正比的电势，这一现象称为霍尔效应，该电势称为霍尔电势，半导体薄片称为霍尔元件。第36页，共64页，星期日，2025年，2月5日工作原理霍尔效应是半导体中自由电荷受磁场中洛化兹力作用而产生的。设霍尔元件为N型半导体，当它通以电流I时，半导体中的自由电荷即载流子（电子）受到磁场中洛化兹力FL的作用，其大小为洛化兹力使电子向垂直于B和自由电子运动方向偏移，其方向符合右手螺旋定律，即电子有向某一端积聚的现象，使半导体一端面产生负电荷积聚，另一端面则为正电荷积聚。由于电荷的聚积，产生静电场，即为霍尔电场。该静电场对电子的作用力FE与洛化兹力方向相反，将阻止电子继续偏转，其大小为第37页，共64页，星期日，2025年，2月5日当静电场作用于运动电子上的FE与洛仑兹力FL相等时，电子积累达到动态平衡，即所以流过霍尔元件的电流I为式中bd为一是流方向垂直的截面积，n为单位体积内自由电子数（载流子浓度）得第38页，共64页，星期日，2025年，2月5日红外辐射传感器红外辐射技术在最近40年中已经发展成为一门新兴技术科学，广泛应用在科学研究、军事工程和医学领域，例如红外制导、红外成像、红外遥感等。红外辐射就是红外光，其波长处于1.0~1000微米，红外光的最大特点就是具有光热效应，能辐射热量，在太阳光谱中是最大光热效应区。自然界中任何物体，只要其温度在绝对零度以上，都能产生红外光辐射。红外光的光热效应对不同的物体是各不相同的，热能强度也不一样，例如黑体能全部吸收投射到其表面的红外辐射物体，镜体能全部反射红外辐射的物体，透明体能全部穿透红外辐射的物体，灰体能部分反射或吸收红外辐射的物体等，将产生不同的光热效应。严格来说，自然界不存在黑体、镜体和透明体，绝大部分物体都属于灰体。第39页，共64页，星期日，2025年，2月5日E：物体在温度T时单位面积和单位时间的红