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探秘Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体纳米线及异质结：生长机制与物性解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的庞大体系中，Ⅲ-Ⅴ族半导体凭借其独特的电子特性，如高电子迁移率和直接带隙等，在光电子、微电子等领域占据着举足轻重的地位。随着科技的飞速发展，对半导体材料性能和结构的要求日益提高，纳米线及异质结结构应运而生，成为了研究的焦点。

Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体纳米线，作为一种低维纳米材料，展现出了诸多优异的特性。其高的晶体质量、独特的量子限域效应以及对生长方向的精确可控性，使其在新一代电子、光电器件的构建中具有广阔的应用前景。在高速晶体管的制作中，Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体纳米线的高电子迁移率能够