电荷耦合器件结构云南开放大学00课件.pptxVIP

主讲人：郑丽萍////电荷耦合器件结构////云南开放大学

光电检测技术

电荷耦合器件（CCD）的结构电荷耦合器件（CCD）在成像领域发挥着至关重要的作用，我们日常使用的数码相机、高清摄像机，背后都离不开CCD的支持。

.电荷耦合器件是20世纪70年代以后发展起来的一种新型光电转换器件。概述与大多数以电流、电压为信号的器件不同，电荷耦合器件是以电荷作为信号，通过电荷的存储、转移来实现光电信号的转换与检测。CCD自出现以来，由于具有较多的与众不同的特点而引起人们的关注，应用范围越来越广泛，已成为现代光电子学和现代测试技术中最具发展前景的领域之一。

CCD的基本结构

.CCD的基本单元是金属-氧化物-半导体（MOS）结构在P型或N型硅单晶体的衬底上生长一层厚度约为0.12微米的二氧化硅（SiO2）薄膜，薄膜上再蒸发一层金属膜（通常用铝）。CCD的基本结构

.CCD的基本单元是金属-氧化物-半导体（MOS）结构经过光刻，将金属膜分割成间距很小的单元，每一个金属膜作为一个电极，与下面的二氧化硅（SiO2）层和Si单晶组成MOS结构，如同一个MOS电容器，所有MOS电容可以有两种排列方式，一种是排列成一维形式（线阵），另一种是排列成二维形式（面阵），再加上信号输入端与输出端，就构成一个CCD装置。CCD的基本结构

.在金属（铝）膜上加上正电压，衬底接负电压，由于电场的感应作用，使P型半导体中电荷分布发生变化。正电荷被排斥而远离Si与二氧化硅（SiO2）的界面，使得在接近界面的位置上出现耗尽层。耗尽层的出现使界面处的表面势增加，随着电极上的电压的增加，耗尽层加深，表面势更高。CCD的基本结构

.表面势对电子有吸引的作用，因而当表面势高到一定程度，就会将半导体内的电子（少数载流子）吸引到表面，形成一层极薄的（10-2微米），电荷浓度很高的反型层，反型层在此又称为N沟道。CCD的基本结构由于电子出现，使得表面势下降，如果电子继续被吸引过来，使耗尽层变浅，表面势也进一步降低。

.当表面势降到费米电势的两倍时，相当于电子已填充到最大限度，表面势不再束缚多余电子，而产生电子的溢出。表面势越高，耗尽层越深，则能够容纳的电子数越多，电子进入这个区域如同掉入井中一样，因此又把这种由于在电极上加上电压后所形成的表面势垒区称为势阱。CCD的基本结构

.表面势的大小也可以作为势阱深度的度量。因为表面势是与铝电极电压（VG）有关，同时也与氧化层的厚度有关，即与MOS电容器单位面积的电容量（COX）与铝电极电压的乘积有关。如果在某一时刻，势阱中存储了部分电荷，通过改变电极上的电压，使势阱变浅，导致阱内电荷趋于饱和并溢出，就可以实现电荷的转移。CCD的基本结构

结论CCD的结构复杂且精妙，正是这种独特的结构，让CCD在天文观测中帮助我们探索浩瀚宇宙，在遥感领域助力监测地球环境变化，在工业检测中保障产品质量等等。

结论希望同学们通过今天的学习，对电荷耦合器件结构有了更深入的理解，也能在生活中发现更多CCD应用的奇妙之处。