基于MXene_TiO2构筑的三端离子型记忆电容器突触功能研究.pdf

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摘要

摘要

神经形态计算为解决冯·诺依曼瓶颈的问题提供了一种有效途径。基于记忆

电容器的人工突触器件凭借其非易失性存储与低功耗操作等特点,成为神经形态

计算的核心元件。相较于传统的两端记忆电容器,三端记忆电容器通过引入第三

个控制端,能够更加灵活地调控电容值,从而在神经形态计算和低功耗电子器件

中展现出应用潜力。

二维材料由于其原子级薄层特性能够调控离子的传输,从而在构建用于人工

突触的新型纳米离子器件中展现出广

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