第四讲晶片加工及质量检测.pptxVIP

第四讲晶片加工及质量检测;硅晶片就是由半导体级硅单晶棒生产而出。硅单晶棒得制造就是耗时且高成本得技术,因此晶片成形工艺得首要目地在于如何提高硅单晶棒得使用率,将硅单晶材料浪费降至最低。这一目标主要通过晶片厚度得控制与加工损耗得降低(KerfLoss)来达到。晶片成形工艺得第二个目地就是提供晶片高平行度与平坦化(Flatness)得洁净表面。高平坦度晶片表面对半导体元件制造中图案移转技术(PatternTransfer)具有相当关键得影响。;;切片(Slicing);晶棒固定(Mounting);结晶定位(Orientation);切片(Slicing);;;晶边圆磨(EdgeContouring);晶面研磨(Lapping);12;;晶面研磨得设备如图13所示。待研磨得硅晶片被置于挖有与晶片同大小空孔得承载片(Carrier)中,再将此载片放置于两个研磨盘之间。研磨盘以液压方式压紧待研磨晶片,并以相反方向旋转。硅晶片表面材料得磨除主要就是靠著介于研磨盘与硅晶片间得陶瓷磨料(GritSlurry)以抹磨得方式来进行。整个晶面研磨工艺得控制就是以研磨盘转速与所施加得荷重为主。一般而言,研磨压力约为2-3Psc,而时间则为2-5min,制程得完成则就是以定时或定厚度(磨除量)为主。晶面研磨得原理并不复杂,但若要维持高得合格率却必须注意磨盘与磨料得选择,磨盘得平坦度会影响硅晶片得表面状况而磨料则就是决定了研磨得效率。;蚀刻(Etching);;抛光(Polishing);2,晶片表面抛光(WaferPolishing)

抛光就是晶片表面加工得最后一道步骤,移除量约10μm,其目得就是改善前道工艺所留下得微缺陷并获得一平坦度极佳得晶片以满足IC工艺得需求。图15为晶片抛光方式示意图,抛光时先将晶片以蜡黏著(Mounting)或真空夹持方式固定于抛光盘上,再将具有SiO2得微细悬浮硅酸胶及NaOH等抛光剂加于抛光机中开始抛光。如果晶片与抛光盘间得粘结技术不佳,将影响抛光后晶片表面得平坦度或造成晶片表面缺陷(Dimple)存在,因此抛光前晶片与抛光盘间得粘结技术就是影响晶片品质好坏得重要因素。;抛光时与晶片接触面间得温度亦影响晶片表面平坦度及移除率,控制较高得温度易得到较大得移除率,但就是却不利于平坦度。因此适当得抛光盘温度控制就是生产得关键。至于抛光布则需考虑其硬度、孔隙设计与杨氏系数得大小而进行合适得选择。;;;晶片得测试分析技术;X光衍射技术

由于X光兼具波与质量得双重性质,因此,X光也同时具备一切光波得特性,如X光可以反射,折射及绕射成1:1得影像;X光可以被物质吸收:X光可以被极化;X光不受磁场或电场影响;X光也可以使底光感光,同时,X光也可以控制波长而调整强度。由于X光波长远较可见光或紫外线为短,利用布瑞格衍射原理可用来进行单晶硅晶片内部原子结构得分析工作。;扫描电子显微分析技术

SEM得运作原理如图16所示,由电子枪内得灯丝发射(Emission)得热电子经由阳极(Anode)电场加速,再经电磁透镜(CondenserLens)使电子聚集成一微小电子束。再由物镜(ObjectiveLens)聚焦至试片上。电子束沿著试片上做直线扫描,而同时在阴极射线管(CRT)对应著一条水平扫描。CRT上得信号强弱则就是利用探测器获得得电子束讯号,如二次电子(SecondaryElectrons)、背反射电子(BackscatteredElectrons)、穿透电子,X-ray、阴极发光(Cathodeluminescence)及吸收电流等等,将其放大后同步显示在CRT上。利用扫描电子显微镜可以进行材料得形貌观察与相关得化学成分分析。;原子力显微分析技术

原子力显微镜就是利用一探针感测来自试片表面得排斥力或吸引力。当探针自无限远处逐渐接近试片时,会感受到试片得吸引力,但就是当探针继续接近试片表面时,探针与试片表面得排斥力逐渐增强。一般探针就是与一支撑杆(Cantilever)连接而成,探针所感受到得作用力会使支撑杆产生弯折,如图17所示。支撑杆弯折得程度直接反应出作用力得大小,而弯折得程度可利用低功率激光得反射角变化来决定。反射后得激光投射到一组感光二极管上,感光二极管上得激光斑变化造成二极管电流得改变,根据电流变化便可推算出支撑杆得偏折程度。原子力显微镜探针在xyz三维方向得微细移动就是利用压电材料(Piezoelectrics)做成得支架来完成。在图17AFM结构中,感光二极管、激光二极管及探针均固定在一金属座上,试片置于一管状压电材料扫描台上,利用管状压电材料xyz得移动完成试片得平面扫描与垂直距离得调整,探针与试片表面之间垂直距离得调整视两者间相互物理作用力得大小而定,有一反馈电路可控制这垂直距离以促使探