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2025年半导体厂职业健康安全试题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.半导体厂洁净室（Class100）内，对人体健康影响最显著的微环境参数是：

A.温度（22±2℃）

B.相对湿度（45±5%）

C.微粒子浓度（0.5μm≤100个/立方英尺）

D.二氧化碳浓度（≤1000ppm）

答案：C

2.光刻工艺中使用的正性光刻胶主要成分为：

A.聚酰亚胺+溶剂

B.酚醛树脂+感光剂+溶剂（PGMEA）

C.环氧树脂+固化剂

D.聚四氟乙烯+稀释剂

答案：B

3.离子注入机运行时，操作人员应重点监测的辐射类型是：

A.α射线

B.β射线

C.X射线（轫致辐射）

D.中子辐射

答案：C

4.半导体厂超纯水（UPW）系统维护时，必须佩戴的个体防护装备（PPE）是：

A.防割手套

B.自给式空气呼吸器（SCBA）

C.耐酸碱手套+护目镜

D.防尘口罩

答案：C

5.化学机械抛光（CMP）工序产生的主要职业病危害因素是：

A.重金属粉尘（二氧化硅、氧化铝）

B.苯系物挥发

C.高频电磁场

D.低温冻伤

答案：A

6.洁净室压差控制标准中，生产区与走廊的压差应保持：

A.正压5-10Pa

B.正压15-20Pa

C.负压5-10Pa

D.负压15-20Pa

答案：B

7.电子束曝光机（E-Beam）运行时，操作人员需距离设备操作窗口的最小安全距离是：

A.0.5米

B.1米

C.1.5米

D.2米

答案：B（依据GBZ125-2020《含密封源仪表的放射卫生防护要求》）

8.半导体厂使用的NF3（三氟化氮）气体泄漏时，正确的应急处置措施是：

A.直接用水冲洗泄漏点

B.佩戴防酸性气体呼吸器进入现场

C.立即启动所有排风扇加速扩散

D.使用金属工具堵漏

答案：B（NF3水解生成HF酸，需防酸性气体）

9.扩散炉（DiffusionFurnace）高温作业时，炉门开启后应等待多长时间方可进行取片操作？

A.1分钟

B.3分钟

C.5分钟

D.10分钟

答案：C（待炉内温度降至60℃以下，防止热辐射灼伤）

10.半导体厂危化品仓库的储量限制中，单一库房的易燃液体（如异丙醇）最大存储量为：

A.500L

B.1000L

C.2000L

D.5000L

答案：B（依据GB15603-1995《常用化学危险品贮存通则》）

11.洁净室工作服（BunnySuit）的正确穿戴顺序是：

A.戴头罩→穿连体服→穿鞋套→戴手套

B.穿鞋套→穿连体服→戴头罩→戴手套

C.戴手套→穿连体服→戴头罩→穿鞋套

D.穿连体服→戴头罩→穿鞋套→戴手套

答案：B（避免体表毛发暴露）

12.等离子体刻蚀（PlasmaEtch）设备维护时，需重点检测的有害气体是：

A.氯气（Cl?）、氟气（F?）

B.氨气（NH?）

C.甲烷（CH?）

D.一氧化碳（CO）

答案：A（刻蚀气体多含卤族元素）

13.半导体厂噪声主要来源中，声压级最高的设备是：

A.真空泵（≥85dB(A)）

B.光刻机（≤75dB(A)）

C.清洗机（≤80dB(A)）

D.冷却塔（≤85dB(A)）

答案：A

14.光刻胶显影液（主要成分为TMAH，四甲基氢氧化铵）溅入眼睛时，正确的冲洗时间应为：

A.5分钟

B.10分钟

C.15分钟

D.20分钟

答案：C（强碱性物质需彻底冲洗）

15.半导体厂废气处理系统（Scrubber）的维护周期应为：

A.每周

B.每月

C.每季度

D.每半年

答案：B（确保处理效率≥98%）

16.洁净室新风量设计标准中，每人每小时最小新风量为：

A.10m3

B.20m3

C.30m3

D.40m3

答案：C（满足人体呼吸需求）

17.电子特气（如SiH?，硅烷）钢瓶的存放要求是：

A.直立固定，与氧化剂气瓶间距≥1米

B.横放堆叠，与腐蚀性气瓶同区域存放

C.倾斜45°放置，无固定要求

D.露天存放，避免阳光直射

答案：A（依据GB16912-2008《深度冷冻法生产氧气及相关气体安全技术规程》）

18.半导体厂职业健康监护中，接触HF酸作业人员的职业健康检查周期为：

A.半年

B.1年

C.2年

D.3年

答案：B（强腐蚀性物质需每年检查）

19.洁净室静电防护的关键控制指标是：

A.地面表面电阻≤1×10?Ω

B.工作服表面电阻≤1×101?Ω

C.操作台面接地电阻≤10Ω

D.人体综合电阻≤1×10?Ω

答案：D（防止静电放电损伤晶圆）

20.半导体厂应急预案演练的最小频次为：

A.每季度1次

B.每半年1次

C.每年1次

D.每两年1次

答案：