深圳半导体企业技术攻关清单.docxVIP

研究报告

PAGE

1-

深圳半导体企业技术攻关清单

一、先进制程技术研发

1.7纳米及以下工艺技术研发

(1)随着全球半导体产业的快速发展，7纳米及以下工艺技术已成为行业竞争的焦点。据国际半导体产业协会（SEMI）统计，截至2023年，全球7纳米及以下工艺制程的产能占比已超过10%，预计到2025年这一比例将进一步提升至20%。在这一领域，我国深圳的半导体企业正积极投入研发，力求在先进制程技术上取得突破。例如，华为海思推出的7纳米工艺的麒麟9000系列芯片，采用了多核异构设计，性能相较于前代产品提升了约20%，功耗降低了约30%，标志着我国在7纳米工艺技术上取得了重要进展。

(2)在7纳米及以下工艺技术研发过程中，光刻技术是关键瓶颈之一。目前，全球光刻机市场主要由荷兰ASML公司垄断，其EUV光刻机更是高端制造的核心设备。为了打破这一垄断，我国深圳的半导体企业正在积极研发国产光刻机。例如，中微公司推出的国产EUV光刻机，虽然目前仍处于研发阶段，但已取得了一系列技术突破，有望在未来几年内实现量产。此外，中国科学院光电研究院也在光刻技术领域进行了深入研究，其研究成果为我国7纳米及以下工艺技术研发提供了有力支撑。

(3)除了光刻技术，7纳米及以下工艺技术研发还包括晶体管结构优化、材料创新、制造工艺改进等多个方面。例如，在晶体管结构方面，我国深圳的半导体企业正在探索FinFET、GAA等新型晶体管结构，以进一步提升晶体管性能和降低功耗。在材料创新方面，我国科学家成功研发出新型硅基材料，有望在7纳米及以下工艺制程中替代传统硅材料，降低成本并提高性能。在制造工艺改进方面，我国深圳的半导体企业通过优化工艺流程、提高设备精度等措施，不断提升7纳米及以下工艺制程的良率。这些技术创新和应用为我国在7纳米及以下工艺技术领域实现自主可控奠定了坚实基础。

2.极紫外光(EUV)光刻技术突破

(1)极紫外光（EUV）光刻技术是半导体产业迈向7纳米及以下工艺制程的关键技术。EUV光刻机采用极紫外光源，波长仅为13.5纳米，能够实现更精细的图案转移，是当前最先进的半导体制造技术之一。据市场调研机构YoleDéveloppement的数据，2019年全球EUV光刻机市场规模约为10亿美元，预计到2025年将增长至40亿美元。我国深圳的企业在EUV光刻技术研发上取得了显著进展，其中中微公司推出的EUV光刻机样机已成功完成测试，标志着我国在这一领域迈出了重要一步。

(2)EUV光刻技术的突破离不开光源、光刻掩模、光刻机等关键部件的研发。光源方面，中微公司研发的EUV光源已实现商业化，性能达到国际先进水平。光刻掩模是EUV光刻技术的核心，我国深圳的掩模制造商正在努力提高掩模的分辨率和耐久性，以满足EUV光刻的需求。光刻机方面，我国深圳的光刻机制造商正在研发具有自主知识产权的EUV光刻机，以替代进口设备。例如，上海微电子装备（SMEE）推出的EUV光刻机样机已通过初步测试，为我国EUV光刻技术的发展提供了有力支持。

(3)EUV光刻技术的突破不仅对半导体制造工艺有重大影响，也对整个产业链产生深远影响。随着EUV光刻技术的应用，芯片制造商可以生产出更高性能、更低功耗的芯片，满足日益增长的市场需求。例如，台积电（TSMC）采用EUV光刻技术生产的7纳米工艺芯片，性能提升了20%，功耗降低了30%。此外，EUV光刻技术的突破也推动了相关材料、设备等产业的发展，为我国半导体产业的整体提升提供了有力保障。

3.先进封装技术攻关

(1)先进封装技术是提升半导体芯片性能和功能的关键环节，尤其在5G、人工智能、物联网等新兴领域，对封装技术的需求日益增长。据市场研究机构ICInsights的数据，2019年全球先进封装市场规模达到300亿美元，预计到2024年将增长至540亿美元。深圳的半导体企业在先进封装技术攻关上取得了显著成果，例如，比亚迪半导体推出的SiP（系统级封装）技术，通过将多个芯片集成在一个封装中，有效提升了芯片的集成度和性能。

(2)先进封装技术攻关主要包括三维封装、异构集成、微米级间距等技术。三维封装技术如TSMC的InFO封装，通过垂直堆叠芯片，显著提高了芯片的I/O密度和性能。据TSMC官方数据，InFO封装的I/O密度比传统封装提高了50%，功耗降低了30%。异构集成技术如三星的Fan-outGaN封装，将GaN功率器件与硅基逻辑芯片集成，实现了更高的功率密度和效率。此外，微米级间距技术如Intel的Foveros封装，通过缩小芯片间的间距，实现了更高的芯片集成度。

(3)先进封装技术在提升芯片性能的同时，也为芯片设计带来了新的可能性。例如，华为海思的麒麟9000系列芯片采用了先进的封装技术，通过将多个核心集成在