第1章半导体基础及二极管电路.pptVIP

PN结电容-产生原因产生原因：PN结两端电压发生变化时，空间电荷区内的电荷量将随之变化PN结正偏时，由于载流子的扩散，会在中性区内形成非平衡载流子的存储，且存储电荷量与外加正偏电压的大小有关这些积累的电荷随着外加电压的变化而变化，即表现为二极管的电容效应（即等效）第二节：半导体二极管的工作原理及特性第29页，共51页，星期日，2025年，2月5日PN结电容-势垒电容势垒电容描述的是势垒区内的空间电荷随PN结外加电压变化而产生的电容效应，用表示势垒电容是非线性电容，将随着外加电压的变化而改变可以据此制成专用的变容二极管。变容二极管皆应用在反向偏置状态反偏时空荷区扩大，等效平板电容的距离增加；正偏时空荷区变小，等效平板电容的距离减小第二节：半导体二极管的工作原理及特性第30页，共51页，星期日，2025年，2月5日PN结电容-扩散电容扩散电容也是非线性电容，将随着外加电压的变化而改变当PN结正向偏置时，载流子穿过势垒区向两侧扩散，在势垒区两侧的中性区将产生由非平衡载流子造成的电荷积累。在电压变化时，积累的电荷发生变化，该效应即为扩散电容效应，用表示第二节：半导体二极管的工作原理及特性第31页，共51页，星期日，2025年，2月5日PN结电容-总结势垒电容与扩散电容为并联，PN结电容为两者之和：正向偏置时PN结电容以扩散电容为主，反向偏置时以势垒电容为主PN结的电容效应将影响晶体管的响应速度和高频特性第二节：半导体二极管的工作原理及特性第32页，共51页，星期日，2025年，2月5日二极管的主要参数最大整流电流最高反向工作电压二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值二极管工作时允许外加的最大反向电压第二节：半导体二极管的工作原理及特性反向电流二极管未击穿时的反向电流最高工作频率二极管的上限工作频率使用二极管参数时的注意事项：温度的影响、参数的分散性第33页，共51页，星期日，2025年，2月5日特殊二极管：稳压二极管第二节：半导体二极管的工作原理及特性正常情况下，工作于反向击穿区。反向电流在很大范围内变化时，端电压变化很小，从而具有稳压作用反向击穿电压最小允许电流最大允许电流动态电阻：稳压管在使用时应串接限流电阻以保证反向电流值在合适范围内第34页，共51页，星期日，2025年，2月5日特殊二极管：其它类型第二节：半导体二极管的工作原理及特性变容二极管：在高频电路中应用较多肖特基二极管：内部为金属半导体结，也具有单向导电性工作速度快正向导通电压较低，反向击穿电压较低体电阻较小第35页，共51页，星期日，2025年，2月5日光电子器件(一)第二节：半导体二极管的工作原理及特性原理：半导体材料的光电转换性质发光二极管：将电能转换为光能的器件光敏(电)二极管：将光能转换为电能的器件光电耦合器：可实现信号的光传输也可在两者之间使用光纤连接第36页，共51页，星期日，2025年，2月5日第1章半导体基础及二极管电路第1页，共51页，星期日，2025年，2月5日内容提要内容提要半导体材料的基本物理特性及PN结原理半导体二极管的结构及工作特性几种特殊二极管二极管基本应用电路及其分析方法第2页，共51页，星期日，2025年，2月5日物质的分类导体(电阻率小于)绝缘体(电阻率大于)半导体（电阻率介于两者之间）典型的半导体：如硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等按照导电能力的差别，可以将物质分为：第一节：半导体的基本特性半导体的独特性质：电阻率可因某些外界因素的改变而明显变化掺杂特性热敏特性光敏特性注意：决定物质导电性能的因素？第3页，共51页，星期日，2025年，2月5日本征半导体中的共价键结构(一)价电子Si硅原子Ge锗原子+4价电子惯性核第一节：半导体的基本特性完全纯净、结构完整的半导体晶体，被称为本征半导体第4页，共51页，星期日，2025年，2月5日本征半导体中的共价键结构(二)在硅和锗晶体中，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子：+4+4+4+4晶体中的共价键结构价电子共价键惯性核第一节：半导体的基本特性晶格的含义：第5页，共51页，星期日，2025年，2月5日本征激发及空穴的移动+4+4+4+4当温度很低，没有激发时，半导体不能导电当温度逐渐升高或有足够光照时，将有少数价电子获得足够能量，可以克服共价键的束缚而成为自由电子，使得本征半导体具有了微弱的导电能力产生自由电子后，在原有的共价键中形成空穴+4+4+4+4自由电子空穴带