第三章 电阻材料.pptVIP

铂、钯为基的电阻合金线具有小的接触电阻、低的噪声电平、耐磨性好、寿命长等优点，很适宜制线绕电位器。但这类合金线的价格太贵，在含有有机物质气氛中工作时会生成“褐粉”，这是一种有机聚合物薄膜，具有绝缘性，使滑动臂的接触电阻增大，影响了接触的稳定性，从而使噪声电平增高，因此限制了它的应用。金基电阻合金线的接触电阻稳定、噪声电平低，抗腐蚀能力强，特别对有机物质的蒸气有惰性，因此是一种很有前途的电阻材料，已作为铂基、钯基电阻合金线的良好代用品。银基合金线的价格最便宜，并具有良好的电接触性能，但它很容易被硫蒸气和硫化氢气体所腐蚀，生成硫化银膜，造成接触不良。另一方面，由于其强度不高、硬度较低、耐磨性差、寿命短，因而限制了它的使用。银锰为基的电阻合金线有较好的使用价值。其中，银锰锡电阻合金线因其电阻温度系数低，对铜的热电势小，具有抗硫化和抗腐蚀的能力，常作为制造标准电阻器的绕组材料。第28页，共67页，星期日，2025年，2月5日电阻合金线有裸线和漆包线两类。漆包线又可分为油性漆包线、高强度聚酯漆包线。油性漆包线具有优良的耐潮性能，但耐温性能较差，其长期使用温度为105℃。高强度聚酯漆包线具有良好的弹性、附着力好、电性能和耐溶剂性好，可以在130℃下长期工作。第29页，共67页，星期日，2025年，2月5日3.3薄膜电阻材料在绝缘基体上(或基片上)用真空蒸发、溅射、化学沉积、热分解等方法制得的膜状电阻材料，其膜厚一般在1um以下，人们常称它为薄膜电阻材料。它的特点是体积小、阻值范围宽、电阻温度系数小、性能稳定、容易调阻、易于散热、用料少、适合大量生产、应用广。特别适用于制造高频、高阻、大功率、小尺寸、片式和薄膜集成式电阻器。第30页，共67页，星期日，2025年，2月5日对这类电阻材料的要求是：电阻率范围宽，即能制高、中、低阻值的电阻器，电阻温度系数小，电阻电压系数小，噪声电平低，使用温度范围宽，高频性能好，稳定性和可靠性高，工艺性能好。使用场合不同，对电阻材料还会有些特殊要求，如耐辐射、抗霉菌、耐盐雾等。作为薄膜电阻材料的原料主要是：金属、合金、金属氧化物、金属化合物、碳、碳化物、硅化物、硼化物等。按组成分类主要有：碳系薄膜、锡锑氧化膜、金属膜、化学沉积金属膜、镍铬系薄膜、金属陶瓷薄膜、铬硅薄膜、钽基薄膜、复合电阻薄、其他电阻薄膜等。第31页，共67页，星期日，2025年，2月5日1碳膜3.3.1碳基薄膜气态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉积在瓷棒或者瓷管上，形成一层结晶碳膜。改变碳膜厚度和用刻槽的方法变更碳膜的长度，可以得到不同的阻值。碳膜电阻成本较低，性能一般。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。第32页，共67页，星期日，2025年，2月5日第33页，共67页，星期日，2025年，2月5日碳膜的结构和性能跟原材料的种类、热分解温度和速度、基个表面状态、碳膜的处理条件有关。在正常情况下，热分解获得的碳膜应是致密而带全属光泽的类石墨结构，石墨晶体是正六边形结构，碳原子排成彼此相互平行的乎面。平面内原子间距离为0.142nm，平面间原子的距离为0.31nm。平面内原子间显金属性导电，呈正的电阻温度系数；平面间原子是靠范氏力联系，所以垂直于原子面的电导很小。呈负的电阻温度系数。碳膜的结构类似于石墨多晶体结构，它由许多小晶粒组成。每一个小晶粒像一个石墨的晶体，但原子平面比石墨晶体的原子平面尺寸小很多。而且其间的原子排列不够整齐，再加上晶粒取向混乱，所以碳膜性能介于石墨晶体平行原子平面方向和垂直于原子平面方向之间，类似于多晶石墨。碳膜的性能跟晶粒的大小、晶粒取向、晶粒间隙以及晶界杂质量有关。这些因素都与热分解的温度和速率、基体表面状态有密切关系。第34页，共67页，星期日，2025年，2月5日2．硅碳膜硅碳膜是用含硅的有机化合物和碳氢化合物同时热分解而制成，也可用依次热分解硅有机化合物和碳氢化合物制得。(采用先热分解正硅酸乙酯，使在基体表面上形成一层含硅碳层，作为底层，它具有填平基体表面、增加附着力的作用。该层热分解温度950~980℃，真空度为2Pa以上。接着用庚烷等热分解，形成一层碳膜层，作为导电层，即为中阻或高阻层。热分解温度为1000℃，真空度同上。如要得到低阻层，可用苯热分解得到。最后将六甲基二硅醚在850℃和同样真空度下热分解，形成含有SiO2的硅碳膜层作为保护层．这种方法制出的硅碳膜电阻率比碳膜高20％~30％。硅碳膜具有耐潮和耐腐蚀的特性。这种膜层的工作温度和