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2025年数电模电面试试题和答案

1.某共射极放大电路中，三极管β=100，UBE=0.7V，Rb1=33kΩ，Rb2=10kΩ，Rc=3kΩ，Re=1kΩ，Vcc=12V，Ce为旁路电容且容量足够大。（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；（2）若输出波形出现顶部失真，判断失真类型并说明调整方法。

（1）静态分析时，Ce视为开路，基极偏置电压UBQ≈(Rb2/(Rb1+Rb2))×Vcc=(10/(33+10))×12≈2.79V。发射极电压UEQ=UBQ-UBE=2.79-0.7=2.09V，IEQ=UEQ/Re=2.09/1≈2.09mA，ICQ≈IEQ=2.09mA，IBQ=ICQ/β≈2.09/100≈0.0209mA=20.9μA。集电极-发射极电压UCEQ=Vcc-ICQ×(Rc+Re)=12-2.09×(3+1)=12-8.36=3.64V。

（2）顶部失真为截止失真。因共射电路输出电压与输入反相，顶部对应输入负半周，当输入负半周时基极电流减小，若Q点过低（IBQ过小），会导致三极管进入截止区。调整方法：减小Rb1或增大Rb2，提高UBQ以增大IBQ，上移Q点。

2.设计一个电压串联负反馈放大电路，要求闭环电压增益Avf=40，运放开环增益Aod=10^5，输入电阻Ri≥200kΩ，输出电阻Ro≤100Ω。（1）画出电路拓扑；（2）计算反馈网络参数；（3）说明该反馈对输入/输出电阻的影响。

（1）采用同相输入比例放大电路拓扑：输入信号接同相端，反相端通过反馈电阻Rf接输出端，反相端对地接平衡电阻R1（R1=Rf∥R2，R2为反馈分压电阻）。

（2）电压串联负反馈闭环增益Avf=1+Rf/R2=40，故Rf/R2=39。取R2=10kΩ（满足输入电阻要求），则Rf=390kΩ。平衡电阻R1=Rf∥R2≈(390×10)/(390+10)=9.75kΩ，取10kΩ近似。

（3）电压负反馈降低输出电阻（Ro=Ro/(1+AF)，Ro为开环输出电阻），串联负反馈增大输入电阻（Ri=Ri×(1+AF)，Ri为开环输入电阻）。实际运放输入电阻远大于200kΩ，经串联反馈后输入电阻更高；输出电阻因电压反馈降至约Ro/(1+AF)，1+AF≈Aod×F≈10^5×(R2/(Rf+R2))≈10^5×(10/400)=2500，若运放开环输出电阻Ro=200Ω，则Ro≈200/2500=80Ω，满足≤100Ω要求。

3.分析图1（假设为差分放大电路，Vcc=Vee=15V，Re=10kΩ，Rc=5kΩ，三极管β=100，UBE=0.7V）的差模电压增益Ad、共模电压增益Ac和共模抑制比KCMR。

静态时，长尾电阻Re中电流Ie=2Ieq，IEQ=(Vee-UBE)/(2Re)=(15-0.7)/(2×10)=14.3/20=0.715mA，ICQ≈IEQ=0.715mA。差模输入时，Re上电流不变（ΔIe=0），相当于交流接地。差模增益Ad=β×Rc/(2×rbe)，rbe=200Ω+(1+β)×26mV/IEQ=200+101×26/0.715≈200+3675≈3875Ω≈3.875kΩ。Ad=100×5/(2×3.875)=500/7.75≈64.5。

共模输入时，每管发射极等效电阻为2Re（因两管电流同方向变化，Re上电流变化为2ΔIe），共模增益Ac=-β×Rc/[rbe+(1+β)×2Re]≈-Rc/(2Re)（因(1+β)×2Re远大于rbe），代入数值Ac≈-5/(2×10)=-0.25。

共模抑制比KCMR=|Ad/Ac|=64.5/0.25=258（约48dB）。

4.简述场效应管（FET）与双极型晶体管（BJT）的主要差异，列举3种FET在模拟电路中的典型应用。

差异：（1）载流子类型：BJT为双极型（电子+空穴），FET为单极型（多数载流子）；（2）输入特性：BJT输入为电流控制（IB控制IC），FET输入为电压控制（UGS控制ID），输入电阻极高（MOSFET可达10^12Ω以上）；（3）温度特性：BJT存在热失控问题（IC随温度升高而增大），FET温度稳定性更好（ID随温度升高而减小）；（4）噪声：FET尤其是结型场效应管（JFET）噪声更低，适合低噪声放大。

典型应用：（1）高输入阻抗放大电路（如运放输入级）；（2）压控电阻（利用可变电阻区特性实现电子开关、衰减器）；（3）低噪声前置放大器（如麦克风输入级）；（4）互补对称功率放大电路（与BJT组成BiCMOS电路）。

5.某RC桥式正弦波振荡电路中，R=10kΩ，C=0.01μF，运放最大输出电压±12V。（1）计算振荡频率f0；（2）说明起振条件；（3）若输出波形出现严重失真，分析可能原因及改进措施。

（1）RC桥式振荡